[发明专利]热插拔开关同步校正通流实现方法、装置、服务器、设备在审
申请号: | 202211392741.X | 申请日: | 2022-11-08 |
公开(公告)号: | CN115765695A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 余智淳 | 申请(专利权)人: | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
主分类号: | H03K17/082 | 分类号: | H03K17/082 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人: | 杨旭 |
地址: | 215100 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热插拔 开关 同步 校正 通流 实现 方法 装置 服务器 设备 | ||
1.一种热插拔开关同步校正通流实现方法,其特征在于,热拔插开关数量为多个,所述方法包括如下步骤:
设置将多个热拔插开关并联连接,并将热拔插开关的电源端通过过孔与热插拔开关所在PCB板的最高电压层连接;
设置热拔插开关的控制端连接控制模块;
将每个热拔插开关两端的电压输入到比较器,并设置比较器将比较结果输出到控制模块;
控制模块控制热拔插开关工作过程中,根据比较器输出的比较结果控制调整输入到热拔插开关的信号进而调整热拔插开关的通道大小。
2.根据权利要求1所述的热插拔开关同步校正通流实现方法,其特征在于,每个热拔插开关包括第一MOS管和第二MOS管,设置将多个热拔插开关并联连接,并将热拔插开关的电源端通过过孔与热插拔开关所在PCB板的最高电压层连接的步骤包括:
将所有第一MOS管的漏极连接作为输入端,将所有第一MOS管的源极连接作为输出端;
将第一MOS管的栅极与第二MOS管的源极连接;
第二MOS管的漏极通过过孔与PCB板的最高电压层连接。
3.根据权利要求2所述的热插拔开关同步校正通流实现方法,其特征在于,设置热拔插开关的控制端连接控制模块的步骤包括:
设置将第二MOS管的栅极与用于提供第二MOS管导通电流的控制模块连接。
4.根据权利要求3所述的热插拔开关同步校正通流实现方法,其特征在于,设置每个热拔插开关连接一个比较器,将每个热拔插开关两端的电压输入到比较器,并设置比较器将比较结果输出到控制模块的步骤包括:
设置第一MOS管的漏极连接比较器的第一输入端,第一MOS管的源极连接比较器的第二输入端;
设置比较器的电源端连接到第二MOS管的源极与第一MOS管的栅极的连接点;
设置比较器将比较结果输出到控制模块。
5.根据权利要求4所述的热插拔开关同步校正通流实现方法,其特征在于,控制模块控制热拔插开关工作过程中,根据比较器输出的比较结果控制调整输入到热拔插开关的信号进而调整热拔插开关的通道大小的步骤包括:
控制模块控制热拔插开关工作过程中,根据比较器输出的比较结果调整输入到第二MOS管的驱动电平的高低,将每个第一MOS管两端的电压循环输入比较器进而将第二MOS管的Vgs电压逐步调低,直到每个第一MOS管的漏极和源极之间的电压差在设定阈值内,进而实现经过每个第一MOS管的电流相同。
6.一种热插拔开关同步校正通流实现装置,其特征在于,包括PCB板卡和设置在PCB板卡上的若干个并联连接的热拔插开关和与热拔插开关数量相同的比较器;将热拔插开关的电源端通过过孔与PCB板的最高电压层连接;
该装置还包括控制模块,每个热拔插开关的控制端连接到控制模块;
每个热拔插开关连接一个比较器,将每个热拔插开关两端的电压输入到比较器,比较器的输出端连接到控制模块;
控制模块,用于输出高电平驱动热拔插开关工作;接收比较器的比较结果并根据比较器输出的比较结果控制调整输入到热拔插开关的信号进而调整热拔插开关的通道大小。
7.根据权利要求6所述的热插拔开关同步校正通流实现装置,其特征在于,每个热拔插开关包括第一MOS管和第二MOS管;
所有第一MOS管的漏极连接,所有第一MOS管的源极连接;
第一MOS管的栅极与第二MOS管的源极连接;
第二MOS管的漏极通过过孔与PCB板的最高电压层连接;
第二MOS管的栅极与用于提供第二MOS管导通电压的控制模块连接。
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