[发明专利]同时监控关键尺寸和刻蚀粗糙度的版图结构及监控方法

权利要求书

1.一种同时监控单扩散隔离结构关键尺寸和刻蚀粗糙度的版图结构，其特征在于，包括：

所述测量版图包括第一至三版图结构；其中，

所述第一版图结构包括多个依次分布的芯轴图形，其用于定义第一测量区域形成于牺牲层上的芯轴结构；

所述第二版图结构包括第一、二隔离结构版图，所述第一、二隔离结构版图均包括多个依次分布的单扩散隔断图形；所述第一隔离结构版图中的所述单扩散隔断图形依次横跨部分或全部的所述芯轴图形，用于定义所述第一测量区域上单扩散隔断结构的形成位置；所述第二隔离结构版图中的所述单扩散隔断图形在远离所述芯轴图形的一侧依次分布，用于定义第二测量区域上的所述单扩散隔断结构的形成位置；

所述第三版图结构，其用于定义去除所述牺牲层后覆盖所述第二测量区域的光刻胶层。

2.根据权利要求1所述的同时监控单扩散隔离结构关键尺寸和刻蚀粗糙度的版图结构，其特征在于：所述芯轴图形依次等距分布。

3.根据权利要求1所述的同时监控单扩散隔离结构关键尺寸和刻蚀粗糙度的版图结构，其特征在于：所述第一、二隔离版图均包括多个呈阶梯状的且依次等距分布的所述单扩散隔断图形，其中一所述单扩散隔断图形横跨所有的所述芯轴图形，其余的所述隔断图形的长度在其至少一侧依次递减。

4.根据权利要求1所述的同时监控单扩散隔离结构关键尺寸和刻蚀粗糙度的版图结构，其特征在于：所述第一、二隔离结构版图互为对称结构。

5.根据权利要求1所述的同时监控单扩散隔离结构关键尺寸和刻蚀粗糙度的版图结构，其特征在于：所述测量版图还包括监测垫图形。

6.根据权利要求1所述的同时监控单扩散隔离结构关键尺寸和刻蚀粗糙度的版图结构，其特征在于：所述第一、二测量区域的大小相等。

7.根据权利要求1至6任一项所述的同时监控单扩散隔离结构关键尺寸和刻蚀粗糙度的方法，其特征在于：

步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成有叠层，在所述叠层上形成有牺牲层；

步骤二、在所述牺牲层上形成第一光刻胶层，之后图形化所述第一光刻胶层，使得所述第二测量区域上的所述第一光刻胶层保留，所述第一测量区域上的部分所述第一光刻胶层打开，其下方的所述牺牲层裸露，刻蚀裸露的所述牺牲层形成位于所述第一测量区域上的所述芯轴结构，之后去除剩余的所述第一光刻胶层；

步骤三、在所述芯轴结构的两侧形成侧墙，之后去除所述第一测量区域上的所述芯轴结构以及所述第二测量区域上的所述牺牲层；

步骤四、形成覆盖所述第一、二测量区域的所述第二光刻胶层，之后利用包括所述第三版图结构的光罩打开所述第二光刻胶层，使得所述第一测量区域中的所述侧墙及其下方的所述叠层裸露，之后以所述侧墙为掩膜刻蚀所述第一测量区域中的所述叠层形成所述半导体结构，之后去除所述第二光刻胶层和所述侧墙，使得所述第一测量区域中的所述半导体结构裸露，所述第二测量区域中的所述叠层裸露；

步骤五、刻蚀所述第一测量区域中的所述半导体结构、所述第二测量区域中所述叠层及其下方的所述衬底形成凹槽，之后在所述凹槽内填充隔离材料层。

8.根据权利要求7所述的同时监控单扩散隔离结构关键尺寸和刻蚀粗糙度的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。

9.根据权利要求7所述的同时监控单扩散隔离结构关键尺寸和刻蚀粗糙度的方法，其特征在于：步骤一中的所述叠层由自下而上依次堆叠的第一氧化层、氮化层、第二氧化层组成。

10.根据权利要求7所述的同时监控单扩散隔离结构关键尺寸和刻蚀粗糙度的方法，其特征在于：步骤一中的所述牺牲层的材料为无定形硅。

11.根据权利要求7所述的同时监控单扩散隔离结构关键尺寸和刻蚀粗糙度的方法，其特征在于：步骤三中的所述侧墙的材料为二氧化硅或氮化硅。