[发明专利]一种基于DDS技术的雾化驱动电路

权利要求书

1.一种基于DDS技术的雾化驱动电路，包括控制模块，其特征在于，还包括升压模块、DDS信号合成模块、B类功率放大模块以及低通滤波模块；

所述控制模块分别与所述升压模块以及所述DDS信号合成模块电连接；所述控制模块用于向所述升压模块发送升压控制信号以及向所述DDS信号合成模块发送SPI信号；

所述升压模块以及所述DDS信号合成模块分别与所述B类功率放大模块电连接；所述升压模块接收所述升压控制信号，并根据所述升压控制信号向所述B类功率放大模块提供驱动电压；所述DDS信号合成模块用于根据所述SPI信号向所述B类功率放大模块发送SV正弦信号；

所述B类功率放大模块与所述低通滤波模块电连接；所述B类功率放大模块用于根据所述SV正弦信号向所述低通滤波模块发送60Vp-p正弦信号；

所述低通滤波模块与负载雾化片电连接，用于将低通滤波处理后的60Vp-p正弦信号发送到所述负载雾化片。

2.根据权利要求1所述的一种基于DDS技术的雾化驱动电路，其特征在于，所述升压模块包括正压升压模块以及负压升压模块；

所述正压升压模块用于为正弦信号的正半周提供正向功率驱动电压；

所述负压升压模块用于为正弦信号的负半周提供负向功率驱动电压。

3.根据权利要求2所述的一种基于DDS技术的雾化驱动电路，其特征在于，所述正压升压模块以及所述负压升压模块采用AP3012驱动芯片。

4.根据权利要求2所述的一种基于DDS技术的雾化驱动电路，其特征在于，所述B类功率放大器包括端口P1、端口P2、功率管Q1、功率管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电容C1、电容C2以及电容C3；

其中，所述功率管Q1与所述功率管Q2互为对称功率管；所述端口P1用于与所述DDS信号合成模块相连接；所述端口P2用于与所述低通滤波模块相连接。

5.根据权利要求4所述的一种基于DDS技术的雾化驱动电路，其特征在于，端口P1的第一端、电容C2的第二端、电容C3的第二端以及端口P2的第二端接地；端口P1的第二端分别与电容C2的第一端、电阻R1的第一端以及电阻R4的第一端相连；电容C1的第一端分别与电阻R2的第二端以及功率管Q1的基极相连；电容C1的第二端分别与电阻R4的第二端以及功率管Q2的基极相连；功率管Q1的集电极与电阻R1连接后与所述正压升压模块相连；功率管Q1的发射极分别与功率管Q2的集电极以及电阻R3的第一端相连；功率管Q2的发射极与电阻R5相连后与所述负压升压模块相连；电阻R3的第二端分别与电容C3的第一端以及端口P2的第一端相连。

6.根据权利要求1所述的一种基于DDS技术的雾化驱动电路，其特征在于，所述控制模块采用STM32F103单片机。

7.根据权利要求1所述的一种基于DDS技术的雾化驱动电路，其特征在于，所述DDS信号合成模块包括DDS频率信号合成器芯片以及分别与其电连接的信号缓冲器以及25MHZ有源晶振；

所述信号缓冲器用于接收所述SPI信号，并将缓冲后的所述SPI信号发送到所述DDS频率信号合成器芯片；

所述25MHZ有源晶振用于为所述DDS频率信号合成器芯片提供稳定的频率信号；

所述DDS频率信号合成器芯片用于根据所述SPI信号合成SV正弦信号，并发送到所述B类功率放大模块。

8.根据权利要求7所述的一种基于DDS技术的雾化驱动电路，其特征在于，所述DDS频率信号合成器芯片采用AD9833数字频率合成芯片。

9.根据权利要求1所述的一种基于DDS技术的雾化驱动电路，其特征在于，所述低通滤波模块包括端口P3、端口P4、电阻R7、电容C4以及电容C5；所述端口P3用于与所述B类功率放大模块相连接；所述端口P4用于与所述负载雾化片相连接。

10.根据权利要求9所述的一种基于DDS技术的雾化驱动电路，其特征在于，端口P3的第一端、电容C5的第二端以及端口P4的第二端接地；端口P3的第二端与电容C4的第一端相连接；电容C4的第二端与电阻R7的第一端相连接；电阻R7的第二端分别与电容C5的第一端以及端口P4的第一端相连接。