[发明专利]存储器系统和操作存储器控制器的方法

说明书

公开了存储器系统和操作存储器控制器的方法。所述存储器系统包括：存储器控制器，被配置为控制存储器装置；以及子缓冲存储器，布置在存储器控制器外部。存储器控制器包括：处理器，被配置为控制存储器装置的存储器操作；主缓冲存储器，与子缓冲存储器不同，并且布置在存储器控制器中；以及缓冲分配电路，被配置为控制子缓冲存储器与主缓冲存储器之间的分配比。处理器将缓冲分配电路的操作模式设置为分配比被固定的操作模式。

本申请基于并要求分别于2021年11月9日和2022年7月1日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0153376号和第10-2022-0081505号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请中的每个的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及存储器控制器，并且更具体地，涉及控制缓冲存储器的分配比的存储器控制器、包括存储器控制器的存储器系统和存储器控制器的操作方法。

背景技术

作为非易失性存储器，即使电源被切断，闪存也可保持存储的数据。包括固态盘(SSD)的NAND闪存的存储装置对于存储或移动大量数据是有用的。

通过经由主机与NAND闪存之间的并行处理来增大带宽，SSD的性能可被改进。此时，缓冲存储器用于补偿主机与NAND闪存之间的性能差异。为了高速性能，使用静态随机存取存储器(SRAM)作为缓冲存储器。随着技术的发展，芯片尺寸被逐渐减小。然而，随着存储装置所需性能的提高，缓冲存储器的作用可不仅由SRAM执行，并且动态RAM(DRAM)可被额外地引进。因此，需要有效且同时使用DRAM和SRAM作为缓冲存储器的方法。

发明内容

一方面，提供控制异构缓冲存储器组件之间的分配比的存储器控制器、包括存储器控制器的存储器系统以及存储器控制器的操作方法。

根据一个或多个实施例的一方面，提供了一种存储器系统，所述存储器系统包括：存储器控制器，被配置为控制存储器装置；以及子缓冲存储器，布置在存储器控制器外部。存储器控制器包括：处理器，被配置为控制存储器装置的存储器操作；主缓冲存储器，与子缓冲存储器不同，并且布置在存储器控制器中；以及缓冲分配电路，被配置为控制子缓冲存储器与主缓冲存储器之间的分配比。处理器设置缓冲分配电路的操作模式，并且缓冲分配电路基于所述操作模式来控制所述分配比。

根据一个或多个实施例的另一方面，提供了一种存储器系统，所述存储器系统包括：存储器控制器，被配置为控制存储器装置；以及子缓冲存储器，布置在存储器控制器外部。存储器控制器包括：处理器，被配置为控制存储器装置的存储器操作；主缓冲存储器，与子缓冲存储器不同，并且布置在存储器控制器中；以及缓冲分配电路，被配置为控制子缓冲存储器与主缓冲存储器之间的分配比。处理器将缓冲分配电路设置为缓冲分配电路可变地设置所述分配比的操作模式。

根据一个或多个实施例的又一方面，提供了一种方法，所述方法包括：从主机接收命令；将存储器控制器中的缓冲分配电路的操作模式确定为第一操作模式和第二操作模式中的一者；当缓冲分配电路处于第一操作模式时，将布置在存储器控制器中的主缓冲存储器与布置在存储器控制器外部的子缓冲存储器之间的分配比设置为预定义的比例；以及当缓冲分配电路处于第二操作模式时，基于所述命令的类型来可变地设置所述分配比。

附图说明

从以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解实施例，在附图中：

图1是示出根据实施例的存储器系统的框图；

图2是示出根据实施例的存储器装置的框图；

图3是示出根据实施例的存储器块的电路图；

图4是示出根据实施例的存储器块的透视图；

图5是示出根据实施例的存储器控制器的框图；

图6是示出根据实施例的缓冲分配处理电路的操作的流程图；