[发明专利]抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜的形成方法

权利要求书

1.一种抗蚀剂下层膜材料，是多层抗蚀剂法中使用的抗蚀剂下层膜材料，其特征为含有(A)具有下列通式(1)表示的结构单元的树脂、及(B)有机溶剂，且该树脂的含量为20质量％以上，

该通式(1)中，R⁰¹为亦可经取代的碳数1～30的饱和或不饱和的1价有机基团，R⁰²为氢原子或亦可经取代的碳数1～30的饱和或不饱和的1价有机基团，构成该R⁰²的结构之中，令氢原子的比例为a、1价有机基团的比例为b时，符合a+b＝1、0.1≤a≤0.5、0.5≤b≤0.9的关系；X为碳数1～30的2价有机基团，m为0～5的整数，n为1～6的整数，m+n为1以上6以下的整数，p为0或1。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜材料，其中，该通式(1)中，该R⁰²为氢原子、碳数1～10的烷基、及下列通式(2)表示的结构中的任一者，

该通式(2)中，＊表示向氧原子的键结部位，R^A为亦可经取代的碳数1～10的2价有机基团，R^B为氢原子或亦可经取代的碳数1～10的1价有机基团。

3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜材料，其中，该通式(1)中，a及b符合a+b＝1、0.15≤a≤0.4、0.6≤b≤0.85的关系。

4.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜材料，其中，该通式(1)中，p为0。

5.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜材料，其中，该通式(1)中，n为1。

6.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜材料，其中，该(A)树脂的重均分子量为3,000～10,000。

7.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜材料，其中，该抗蚀剂下层膜材料含有(C)交联剂。

8.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂下层膜材料，其中，该抗蚀剂下层膜材料更含有(D)酸产生剂、(E)表面活性剂、(F)塑化剂、及(G)色素中的1种以上。

9.一种图案形成方法，是于被加工基板形成图案的方法，其特征为具有下列步骤：

(I-1)在该被加工基板上涂布根据权利要求1至8中任一项所述的抗蚀剂下层膜材料后进行热处理，以形成抗蚀剂下层膜，

(I-2)在该抗蚀剂下层膜上使用光致抗蚀剂材料形成抗蚀剂上层膜，

(I-3)对于该抗蚀剂上层膜进行图案曝光后，以显影液显影而在该抗蚀剂上层膜形成图案，

(I-4)以该形成了图案的抗蚀剂上层膜作为掩膜，以干蚀刻将图案转印在该抗蚀剂下层膜，及

(I-5)以该形成了图案的抗蚀剂下层膜作为掩膜，将该被加工基板予以加工而在该被加工基板形成图案。

10.一种图案形成方法，是于被加工基板形成图案的方法，其特征为具有下列步骤：

(II-1)在该被加工基板上涂布根据权利要求1至8中任一项所述的抗蚀剂下层膜材料后，利用进行热处理以形成抗蚀剂下层膜，

(II-2)在该抗蚀剂下层膜上形成含硅的抗蚀剂中间膜，

(II-3)在该含硅的抗蚀剂中间膜上使用光致抗蚀剂材料形成抗蚀剂上层膜，

(II-4)对于该抗蚀剂上层膜进行图案曝光后，以显影液显影而于该抗蚀剂上层膜形成图案，

(II-5)以该形成了图案的抗蚀剂上层膜作为掩膜，以干蚀刻将图案转印在该含硅的抗蚀剂中间膜，

(II-6)以该形成了图案的含硅的抗蚀剂中间膜作为掩膜，以干蚀刻将图案转印在该抗蚀剂下层膜，及

(II-7)以该形成了图案的抗蚀剂下层膜作为掩膜，将该被加工基板予以加工而于该被加工基板形成图案。