[发明专利]R-T-B系永磁体在审

专利信息
申请号: 202211394851.X 申请日: 2022-11-08
公开(公告)号: CN116110671A 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: 刘丽华;铃木健一 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;池兵
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 永磁体
【权利要求书】:

1.一种R-T-B系永磁体,其含有稀土元素R、过渡金属元素T和B,其中,

所述R-T-B系永磁体至少含有Nd作为R,

所述R-T-B系永磁体至少含有Fe作为T,

所述R-T-B系永磁体具有多个主相颗粒和多个空隙,

所述多个主相颗粒至少含有R、T和B,

所述R-T-B系永磁体的任意截面中的所述多个空隙的面积率大于0.2%且为2%以下。

2.根据权利要求1所述的R-T-B系永磁体,其中,

所述R-T-B系永磁体的所述任意截面中的所述多个空隙各自的面积的平均值为0.1(μm)2以上7(μm)2以下。

3.根据权利要求1所述的R-T-B系永磁体,其中,

所述R-T-B系永磁体的所述任意截面中的所述多个空隙各自的面积的标准偏差为0(μm)2以上5(μm)2以下。

4.根据权利要求1所述的R-T-B系永磁体,其中,

所述R-T-B系永磁体的所述任意截面为长方形,

设所述长方形的四边中的一个边为x轴,

设所述长方形的四边中与所述x轴正交的一个边为y轴,

设所述x轴和所述y轴的交点为原点,

在由所述原点、所述x轴和所述y轴构成的坐标系中,所述多个空隙各自的几何中心的位置用(x,y)表示时,

从所述多个空隙各自的几何中心的位置计算的x和y的相关系数r的绝对值为0以上0.2以下。

5.根据权利要求1所述的R-T-B系永磁体,其中,

在与所述R-T-B系永磁体的易磁化轴方向大致平行的所述R-T-B系永磁体的截面中,所述多个主相颗粒是扁平的,

在与所述R-T-B系永磁体的所述易磁化轴方向大致平行的所述R-T-B系永磁体的所述截面中,所述多个主相颗粒的短轴的长度的平均值为20nm以上200nm以下。

6.根据权利要求1所述的R-T-B系永磁体,其中,

R的含量为28质量%以上33质量%以下,

B的含量为0.75质量%以上1.20质量%以下。

7.根据权利要求1所述的R-T-B系永磁体,其中,

所述多个主相颗粒沿着所述R-T-B系永磁体的易磁化轴方向堆叠。

8.根据权利要求1所述的R-T-B系永磁体,其为热加工磁体。

9.根据权利要求1所述的R-T-B系永磁体,其中,

还具有多个富R相,

所述多个富R相中的R的浓度高于所述多个主相颗粒中的R的浓度,

其中,R的浓度的单位为原子%。

10.根据权利要求1所述的R-T-B系永磁体,其中,

设在所述R-T-B系永磁体的所述任意截面中观察的所述多个空隙各自的长轴方向的长度为LL

设在所述R-T-B系永磁体的所述任意截面中观察的所述多个空隙各自的短轴方向的长度为LS

设在所述R-T-B系永磁体的所述任意截面中观察的所述多个空隙各自的长宽比为LL/LS时,

LL/LS的平均值为1以上2以下。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社,未经TDK株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211394851.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top