[发明专利]一种射频功率检测器芯片版图结构及射频功率检测器芯片

权利要求书

1.一种射频功率检测器芯片版图结构，其特征在于，包括从左至右依次设置的第一版图区域、第二版图区域以及第三版图区域；

所述第一版图区域呈L型并形成有第一嵌入槽，所述第三版图区域呈凹字型并形成有第二嵌入槽，所述第二版图区域的左右两侧分别嵌入第一嵌入槽和第二嵌入槽。

2.根据权利要求1所述的射频功率检测器芯片版图结构，其特征在于，所述第一版图区域、第二版图区域以及第三版图区域构成的版图结构呈矩形结构，所述版图结构中设置有多晶层以及多层金属层；

所述第一版图区域与第二版图区域之间、所述第二版图区域与第三版图区域之间均通过金属层相连。

3.根据权利要求2所述的射频功率检测器芯片版图结构，其特征在于，所述第一版图区域包括由多晶层和多层金属层构成的输入输出模块以及多个防静电模块，输入输出模块设置于远离第二版图区域的一侧，多个所述防静电模块设置于靠近第二版图区域的一侧；

所述第二版图区域包括由多晶层和多层金属层构成的射频功率检测器模块，所述第三版图区域包括由多层金属层构成的信号输入模块。

4.根据权利要求3所述的射频功率检测器芯片版图结构，其特征在于，所述输入输出模块包括多个第一焊盘，多个所述第一焊盘依次设置于远离第二版图区域的一侧，且构成所述第一焊盘的金属层大于两层。

5.根据权利要求4所述的射频功率检测器芯片版图结构，其特征在于，所述信号输入模块包括射频信号输入模块，所述射频信号输入模块包括第二焊盘和输入串联电容，所述第二焊盘和输入串联电容依次设置于第三版图区域上方；

构成所述第二焊盘的金属层小于或等于两层，所述第二焊盘的面积为第一焊盘面积的80％以下。

6.根据权利要求5所述的射频功率检测器芯片版图结构，其特征在于，所述信号输入模块还包括偏置电压输入模块，所述偏置电压输入模块包括输入串联电阻和第三焊盘，所述输入串联电阻和第三焊盘依次设置于第三版图区域下方，所述第三焊盘的结构与第一焊盘的结构相同。

7.根据权利要求3所述的射频功率检测器芯片版图结构，其特征在于，所述射频功率检测器模块包括电流叠加模块、分压模块、滤波模块以及多个功率转电流模块，所述分压模块以及滤波模块位于第二版图区域左下方区域的左上角，所述电流叠加模块紧邻分压模块设置且靠近第三版图区域。

8.根据权利要求7所述的射频功率检测器芯片版图结构，其特征在于，所述功率转电流模块由多个功率转电流子模块构成，所述功率转电流子模块由MOS管和RC滤波器构成。

9.根据权利要求7所述的射频功率检测器芯片版图结构，其特征在于，所述电流叠加模块由多个MOS管并联后与电阻串联构成，所述滤波模块由平板电容构成，所述分压模块包括多个电阻。

10.一种射频功率检测器芯片，其特征在于，采用如权利要求1-9任一项所述的射频功率检测器芯片版图结构制作而成。