[发明专利]一种微型发光二极管分立器件制备方法

说明书

本发明涉及一种微型发光二极管分立器件的制备方法。本发明所述的分立器件制备方法包括：步骤S1、在带有微型发光二极管芯片阵列的基板正面形成封装层；其中所述芯片阵列设置于所述基板正面，所述封装层包覆每个芯片，并在位于芯片和芯片之间区域上设有使基板暴露的切割道，所述切割道交错设置，其在所述基板上的正投影可将基板分割为多个带有至少一个芯片的区域；步骤S2、利用激光沿所述切割道对基板进行切割，获得分立器件；其中所述步骤S1中的切割道宽度大于所述激光的热影响范围。本发明所述的方法具有可避免激光对封装层的热影响从而使制备出的分立器件具有兼具封装效果好和小型化、轻薄化效果的优点。

技术领域

本发明涉及光电技术领域，特别是涉及一种微型发光二极管分立器件的制备方法。

背景技术

微型发光二极管(Micro LED)是指边长在10微米～100微米的超小型发光二极管，其可用于制备分辨率更高的显示模组。目前主流的微型发光二极管封装路线为板上芯片(chip on board，COB)路线，其先将芯片键合至驱动基板上再对其整体进行封装以形成显示模组，具有容易实现、可靠性较高等优点。但是，由于COB封装路线中多个芯片被封装在一起，因此为了使显示模组的不同芯片之间保持一致性，其在封装前就需要对芯片进行严格的分选，大幅提高芯片的分选难度；其次若封装后的显示模组有个别芯片存在故障，也难以对其进行维修；而且由于该封装路线中尽管同一显示模组中的封装效果一致，但是由多个显示模组拼接成显示屏后则容易出现不同的模组之间墨色一致性差等问题。

与COB路线相比，利用封装好的微型发光二极管分立器件制作显示模组，可通过混BIN的方式提升模组的显示效果一致性，从而提高芯片的利用率，另外由于每个器件之间相对独立，因此也更容易对出现故障的器件进行维修和更换。目前，微型发光二极管分立器件的制备方式通常为先将芯片封装在基板上，再通过刀轮或激光对其进行切割以获得单个封装好的分立器件。但是，刀轮式切割方法精度较低并会形成较宽的切割道，而且在对较薄的基板进行切割时容易使基板破碎从而影响分立器件的可靠性；而激光切割的方法具有较高的精度，且可以作用于更轻薄的材料，但是由于激光对器件的封装胶层具有热影响，利用激光切割的方式制备分立器件时容易出现封装胶变形、封装层气密性降低等问题，因此目前仍然难以将激光切割应用于微型发光二极管分立器件的制备上。

发明内容

基于此，本发明的目的在于，提供一种微型发光二极管分立器件的制备方法，其具有可避免激光对封装层的热影响从而使制备出的分立器件具有兼具封装效果好和小型化、轻薄化效果的优点。

一种微型发光二极管分立器件的制备方法，包括以下步骤：

步骤S1、在带有微型发光二极管芯片阵列的基板正面形成封装层；其中所述芯片阵列设置于所述基板正面，所述封装层包覆每个芯片，并在位于芯片和芯片之间区域上设有使基板暴露的切割道，所述切割道交错设置，其在所述基板上的正投影可将基板分割为多个带有至少一个芯片的区域；

步骤S2、利用激光沿所述切割道对基板进行切割，获得分立器件；

其中所述步骤S1中的切割道宽度大于所述激光的热影响范围。

本发明所述的微型发光二极管分立器件的制备方法通过制备设有切割道的封装层，在对单个芯片实现封装的同时暴露芯片与芯片之间的基板，从而使步骤S2中利用激光进行切割时所述激光可以直接作用于基板而不会经过封装层也不会对其造成热影响，从而实现了对保证封装效果和分立器件的小型化、轻薄化之间的兼顾。

进一步地，所述步骤S1中的封装层的制备方法为先利用封装胶在所述基板正面形成厚度大于芯片高度的胶层，再除去所述切割道范围内的封装胶以暴露基板。

进一步地，所述封装胶为感光材料，所述切割道范围内的封装胶通过光刻法去除。

进一步地，所述切割道的宽度大于50μm。

进一步地，所述封装层含有吸光材料或光散射材料。