[发明专利]一种基于连续域中束缚态机制的非线性光波导的制备方法

权利要求书

1.一种基于连续域中束缚态机制的非线性光波导的制备方法，其特征在于，包括：

对非线性晶体进行预处理，得到非线性晶片，对所述非线性晶片实施离子注入；

将离子注入后的非线性晶片旋涂光刻胶，并进行电子束曝光和后续加热处理；

将加热处理后的所述非线性晶片进行显影操作，得到高分子聚合物和非线性晶体混合型光波导。

2.根据权利要求1所述的基于连续域中束缚态机制的非线性光波导的制备方法，其特征在于，对所述非线性晶体进行预处理包括：

对所述非线性晶体进行切割，得到所述非线性晶片，对所述非线性晶片进行表面处理，将预处理完成的非线性晶片放入储存设备中储存备用。

3.根据权利要求1所述的基于连续域中束缚态机制的非线性光波导的制备方法，其特征在于，对所述非线性晶片进行离子注入包括：

基于离子加速设备对所述非线性晶片进行离子注入，设定所述离子加速设备的加速能量，将所述离子轰击所述非线性晶片，获得隔离层和波导层。

4.根据权利要求1所述的基于连续域中束缚态机制的非线性光波导的制备方法，其特征在于，所述离子注入后的非线性晶片旋涂光刻胶包括：

将所述离子注入后的非线性晶片置于加热炉中，去除所述非线性晶片中的水分，并将去除水分后的非线性晶片自然冷却至室温，对冷却至室温的非线性晶片旋涂光刻胶，得到涂覆有光刻胶的非线性晶片。

5.根据权利要求4所述的基于连续域中束缚态机制的非线性光波导的制备方法，其特征在于，对所述冷却至室温的非线性晶片旋涂光刻胶，包括：

吸取光刻胶，滴于所述冷却至室温的非线性晶片表面，将涂有光刻胶的非线性晶片放置于旋涂设备上，设定所述旋涂设备的工作参数，得到涂覆有光刻胶的非线性晶片。

6.根据权利要求5所述的基于连续域中束缚态机制的非线性光波导的制备方法，其特征在于，实施电子束曝光包括：

将所述涂覆有光刻胶的非线性晶片进行加热处理，固化光刻胶，对加热后的非线性晶片实施电子束曝光，得到电子束曝光后的非线性晶片。

7.根据权利要求6所述的基于连续域中束缚态机制的非线性光波导的制备方法，其特征在于，对所述加热后的非线性晶片实施电子束曝光包括：

绘制曝光区域的二维图案，将所述二维图案导入电子束曝光设备中，基于所述二维图案照射所述光刻胶，诱导光刻胶发生化学反应，得到电子束曝光后的非线性晶片。

8.根据权利要求7所述的基于连续域中束缚态机制的非线性光波导的制备方法，其特征在于，将所述加热处理后的非线性晶片进行显影操作包括：

对所述电子束曝光后的非线性晶片进行加热处理，使经过电子束曝光后的光刻胶发生聚合反应,形成不溶于显影液的聚合物,加热完成后冷却，对覆有聚合物的非线性晶片进行显影操作，得到高分子聚合物和非线性晶体混合型光波导。

9.根据权利要求8所述的基于连续域中束缚态机制的非线性光波导的制备方法，其特征在于，对所述覆有聚合物的非线性晶片进行显影操作包括：

将所述覆有聚合物的非线性晶片放置于显影液中浸泡，溶解未发生聚合反应的光刻胶，使用异丙醇进行冲洗，去除残留的未聚合光刻胶和显影液，得到所述高分子聚合物和非线性晶体混合型光波导。