[发明专利]半导体激光器

权利要求书

1.一种半导体激光器，包括在衬底表面依次生长的缓冲层、下限制层、下波导层、有源区、上波导层、上限制层、帽层、顶部电极，和形成于衬底背面的底部电极，所述上限制层、帽层和顶部电极形成脊条，其特征在于：

所述脊条上设置有模式调控阵列结构，所述模式调控阵列结构包括沟道和箭头结构阵列，所述沟道形成于所述脊条的两侧，所述箭头结构阵列包括多个箭头结构单元，每个所述箭头结构单元包括至少一个箭头，其中，所述箭头结构阵列中的箭头结构单元形成于所述半导体激光器的侧向光场分布的N-1阶模式的峰值位置，N为大于等于2的整数。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，在每个所述箭头结构阵列中，所述箭头结构单元中箭头数量由所述脊条的中心向两侧递增。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述箭头结构单元中箭头的方向与注入电流增大时所述N-1阶模式的峰值位置的变化一致。

4.根据权利要求3所述的半导体激光器，其特征在于，所述箭头的箭尾宽度为1-10μm，箭头宽度为1-5μm。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述箭头结构阵列形成于所述脊条靠近所述半导体激光器前腔面和后腔面的两侧，或者形成于所述脊条中部，或者形成于靠近所述半导体激光器前腔面单侧，或者形成于整个脊条的上表面。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述脊条的刻蚀深度位于所述上限制层的上表面和所述上波导层下表面之间。

7.根据权利要求5所述的半导体激光器，其特征在于，所述脊条的刻蚀深度为1-3μm。

8.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述模式调控结构的刻蚀深度位于所述上限制层的上表面和下表面之间。

9.根据权利要求8所述的半导体激光器，其特征在于，所述模式调控结构的刻蚀深度为1-3μm。

10.根据权利要求8或9所述的半导体激光器，其特征在于，所述模式调控结构的刻蚀部分与未刻蚀部分的比例为2∶8-8∶2。

11.根据权利要求10所述的半导体激光器，其特征在于，所述模式调控结构的刻蚀部分与未刻蚀部分的比例为6∶4。

12.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述有源区包括K1个量子阱和K2个势垒层，其中，K1为大于等于1的整数，K2为大于等于0的整数。

13.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述衬底采用的材料为III-V族化合物。

14.根据权利要求13所述的半导体激光器，其特征在于，所述衬底采用的材料为GaSb。

15.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述沟道的宽度为1-5μm。