[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202211403732.6 | 申请日： | 2022-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN115799975A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 王硕;王兵;李健芳;岳伟浩 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 王本晋 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种半导体激光器，其特征在于：包括以下结构：
导电层；
电子传输层，所述电子传输层设于所述导电层的上表面；
光吸收材料层，所述光吸收材料层设于所述电子传输层的上表面；
空穴传输层，所述空穴传输层设于所述光吸收材料层的上表面；
第一金属电极层，所述第一金属电极层设于所述空穴传输层的上表面；
激光器外延材料层，所述激光器外延材料层设于所述第一金属电极层的上表面；
激光器绝缘层，所述激光器绝缘层覆盖所述激光器外延材料层的两侧；
第二金属电极层，所述第二金属电极层设于所述激光器外延材料层的上表面；
电极金属连接线，所述电极金属连接线连接所述导电层和所述第二金属电极层。
2.根据权利要求1所述的一种半导体激光器，其特征在于：所述导电层包括氧化铟锡层和银纳米线层中的至少一层。
3.根据权利要求1所述的一种半导体激光器，其特征在于：所述第一金属电极层的厚度为5-20μm。
4.根据权利要求3所述的一种半导体激光器，其特征在于：所述第一金属电极层包括Ag层、Au层、Ni层、Ge层和Cu层中的至少一层。
5.根据权利要求1所述的一种半导体激光器，其特征在于：所述激光器绝缘层包括SiO2层和Si3N4层中的至少一层。
6.根据权利要求5所述的一种半导体激光器，其特征在于：所述激光器绝缘层的厚度为100nm。
7.根据权利要求1所述的一种半导体激光器，其特征在于：所述第二金属电极层的数量大于等于2，且第二金属电极层之间不接触。
8.一种制备如权利要求1至7任一项所述的一种半导体激光器的方法，其特征在于：包括以下步骤：
依次制备激光器外延材料层、第一金属电极层、空穴传输层、光吸收材料层、电子传输层和导电层，在所述激光器外延材料层的两侧沉积激光器绝缘层，在所述激光器外延材料层的上表面制备第二金属电极层，将导电层和第二金属电极层通过金属连接线连接，得到所述半导体激光器。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述制备所述空穴传输层包括以下步骤：混合卤化铜和含稀有金属的溶液，经加热，得到所述空穴传输层。
10.如权利要求1至7任一项所述的一种半导体激光器在激光通信或者光储存中的应用。
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