[发明专利]一种功率半导体器件、逆变器模组以及电子设备在审
| 申请号： | 202211404413.7 | 申请日： | 2022-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN115566052A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 吴传贵;朱代磊;帅垚;罗文博 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/78;H01L29/872 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 逆变器 模组 以及 电子设备 | ||
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
下电极，设置在所述衬底上；
半导体单晶种子层，设置在所述下电极上；
半导体外延层，设置在所述半导体单晶种子层上；
功率器件主体功能层，设置在所述半导体外延层上；
电极引出部，与所述下电极连接，以引出所述下电极。
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述下电极依靠至少一个通孔引出，通孔贯穿设置在所述衬底上。
3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述电极引出部包括：
至少一个通孔，通孔贯穿所述半导体单晶种子层、所述半导体外延层以及所述功率器件主体功能层；
绝缘层，设置于所述通孔上的侧壁。
4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述半导体单晶种子层与所述半导体外延层能够覆盖所述下电极的第一部分，其中，电气依靠未被所述半导体单晶种子层与所述半导体外延层所覆盖的所述下电极的第二部分上的电极引出部引出。
5.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述半导体单晶种子层的材料与所述半导体外延层的材料为同质材料或所述半导体单晶种子层的材料与所述半导体外延层的材料为异质材料。
6.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述衬底和所述下电极的材料在大于1400℃的温度下是难熔的。
7.根据权利要求6所述的功率半导体器件，其特征在于，所述衬底的材料为蓝宝石、单晶碳化硅SiC、多晶SiC、SiC陶瓷或氮化铝AlN陶瓷的任意一种。
8.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述下电极的材料为多晶硅、金属硅化物或金属。
9.一种逆变器模组，其特征在于，包括：振荡器、控制电路、开关器件、变压器以及如权利要求1-8任一项所述的功率半导体器件。
10.一种电子设备，其特征在于，包括：如权利要求9所述的逆变器模组。
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