[发明专利]使用掩埋式热轨线的背侧散热

权利要求书

1.一种集成电路(IC)器件，包括：

一个或多个晶体管的第一半导体结构和第二半导体结构；

包括导电材料的层，所述层耦合到所述第一半导体结构和所述第二半导体结构；

包括导热材料的板；以及

轨线，通过过孔耦合到所述层并通过穿衬底过孔耦合到所述板，

其中，所述轨线在所述第一半导体结构和所述第二半导体结构与所述板之间。

2.根据权利要求1所述的IC器件，还包括支撑结构，所述支撑结构包括半导体材料并且至少部分地邻接所述板，其中，所述穿衬底过孔和所述轨线在所述支撑结构中。

3.根据权利要求2所述的IC器件，其中，所述板的一部分邻接所述支撑结构，并且所述板的另一部分不邻接所述支撑结构。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的IC器件，其中，所述穿衬底过孔的表面邻接所述轨线的表面，并且所述穿衬底过孔的所述表面具有大于所述轨线的所述表面的面积。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的IC器件，其中：

所述轨线是耦合到所述第一半导体结构和所述第二半导体结构的电力轨线；

所述板包括第一部分和第二部分；

所述第一部分与所述第二部分电绝缘；并且

所述轨线通过所述穿衬底过孔耦合到所述板的所述第一部分。

6.根据权利要求5所述的IC器件，其中，所述轨线为第一轨线，所述过孔为第一过孔，并且所述穿衬底过孔为第一穿衬底过孔，所述IC器件还包括：

耦合到所述层的第三半导体结构和第四半导体结构；以及

第二轨线，通过第二穿衬底过孔耦合到所述板的所述第二部分并且通过第二过孔耦合到所述层，其中，所述第二轨线在所述第三半导体结构与第四半导体结构之间。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的IC器件，其中：

所述第一半导体结构和所述第二半导体结构在所述IC器件的第一单元中；

所述板的至少一部分在所述IC器件的第二单元中；并且

所述第二单元与所述第一单元相邻。

8.根据权利要求7所述的IC器件，其中，所述第二单元是填充单元。

9.根据权利要求1-3中任一项所述的IC器件，其中，所述第一半导体结构和所述第二半导体结构与所述板处于所述IC器件的同一单元中。

10.根据权利要求1-3中任一项所述的IC器件，其中，所述层是第一层并且所述导电材料是第一导电材料，还包括包含第二导电材料的第二层，其中，所述第一层在所述第二层与所述轨线之间。

11.一种集成电路(IC)器件，包括：

一个或多个晶体管的多个半导体结构；

包括导电材料的层，所述层耦合到所述多个半导体结构；

包括导热材料的板；以及

多个轨线，通过多个穿衬底过孔耦合到所述板，所述轨线中的各个轨线存在于所述多个半导体结构的两个相邻半导体结构之间。

12.根据权利要求11所述的IC器件，还包括在所述层和所述板之间的支撑结构，所述支撑结构包括所述多个半导体结构的半导体材料。

13.根据权利要求12所述的IC器件，其中，所述多个穿衬底过孔和所述多个轨线在所述支撑结构中。

14.根据权利要求11-13中任一项所述的IC器件，其中，所述多个轨线中的轨线通过过孔耦合到所述层。

15.根据权利要求11-13中任一项所述的IC器件，其中，所述轨线在所述过孔与所述多个穿衬底过孔之间。