[发明专利]一种晶体管界面态仿真方法、计算设备及存储介质

权利要求书

1.一种晶体管界面态仿真方法，其特征在于，包括：

构建肖特基-里德-霍尔体复合模型，所述肖特基-里德-霍尔体复合模型包括单位体积下的第一界面陷阱浓度；

将所述第一界面陷阱浓度转换为单位面积下的第二界面态陷阱浓度，根据所述第二界面态陷阱浓度构建出肖特基-里德-霍尔表面复合模型；

构建电子连续性方程和空穴连续性方程；

将所述肖特基-里德-霍尔表面复合模型分别与所述电子连续性方程和所述空穴连续性方程耦合，得到晶体管界面态模型；

利用所述晶体管界面态模型对晶体管在不同所述第二界面态陷阱浓度下的基极电流进行仿真。

2.根据权利要求1所述的晶体管界面态仿真方法，其特征在于，所述构建肖特基-里德-霍尔体复合模型包括：根据第一公式构建肖特基-里德-霍尔体复合模型，所述第一公式包括：

其中，U_S1为所述肖特基-里德-霍尔体复合模型的复合率，p为空穴浓度，n为电子浓度，n_i为硅中本征载流子浓度，E_t为缺陷陷阱的能级，E_i为硅中的本征能级，q为元电荷的电荷量，k为玻尔兹曼常数，T为温度，τ_n为电子寿命，τ_p为空穴寿命。

3.根据权利要求2所述的晶体管界面态仿真方法，其特征在于，所述电子寿命由第二公式计算得到；其中，所述第二公式包括：

其中，v_n为电子热速度，σ_n为电子俘获截面，N_t为缺陷陷阱浓度。

4.根据权利要求2所述的晶体管界面态仿真方法，其特征在于，所述空穴寿命由第三公式计算得到；其中，所述第三公式包括：

其中，v_p为空穴热速度，σ_p为空穴俘获截面，N_t为缺陷陷阱浓度。

5.根据权利要求1所述的晶体管界面态仿真方法，其特征在于，所述将所述第一界面陷阱浓度转换为单位面积下的第二界面态陷阱浓度，包括：

使用第四公式将所述第一界面陷阱浓度转换为所述第二界面态陷阱浓度，其中所述第四公式包括：

其中，N_st(cm^-3)为所述第一界面态陷阱浓度，N_st(cm^-2)为所述第二界面态陷阱浓度，1e-7为1×10^-7。

6.根据权利要求2所述的晶体管界面态仿真方法，其特征在于，所述根据所述第二界面态陷阱浓度构建出肖特基-里德-霍尔表面复合模型，包括：

将所述第二界面态陷阱浓度代入所述肖特基-里德-霍尔体复合模型中，构建出所述肖特基-里德-霍尔表面复合模型，所述肖特基-里德-霍尔表面复合模型由第五公式表示，所述第五公式包括：

其中，U_S2为所述肖特基-里德-霍尔表面复合模型的复合率，p为所述空穴浓度，n为所述电子浓度，n_i为所述硅中本征载流子浓度，E_t为所述缺陷陷阱能级，E_i为所述硅中本征能级，q为所述元电荷电荷量，k为所述玻尔兹曼常数，T为所述温度，v_n为电子热速度，σ_n为电子俘获截面，v_p为空穴热速度，σ_p为空穴俘获截面，N_st(cm^-2)为所述第二界面态陷阱浓度。