[发明专利]研磨装置和研磨方法在审
申请号: | 202211406296.8 | 申请日: | 2022-11-10 |
公开(公告)号: | CN115635413A | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 刘传涛;崔慧成 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | B24B37/005 | 分类号: | B24B37/005;B24B37/34;B24B49/12 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 严罗一;臧建明 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨 装置 方法 | ||
本公开提供一种研磨装置和研磨方法,研磨装置包括研磨基座、光发射器和光感应器,研磨基座具有研磨面,研磨面用于研磨待研磨件,待研磨件具有针尖;光发射器的发射端和光感应器的感应端均位于研磨面的所在平面,光发射器发出的光线贴合研磨面并朝向光感应器;针尖的端面抵接研磨面,并遮挡光线向光感应器发射,形成研磨装置的研磨状态。研磨装置可以对针尖的端面进行研磨,以使针尖的端面形成平面,研磨后的针尖可以再次用于制备针尖状的待测样品,从而降低了待测样品的制备成本。因此,本公开提供的研磨装置和研磨方法,采用研磨装置研磨后的针尖可以再次用于制备针尖状的待测样品,从而提高了针尖载台的利用率,降低了待测样品的制备成本。
技术领域
本公开涉及半导体技术领域,尤其涉及一种研磨装置和研磨方法。
背景技术
随着半导体行业的发展,半导体器件的尺寸不断缩小。在半导体器件中,通过掺杂不同的微量元素或者改变微量元素的分布情况,可以改善半导体器件的性能。因此,检测小尺寸的半导体器件中各元素在三维结构上的分布情况(即三维重构),对于指导半导体器件的制备具有重要意义。
相关技术中,在对半导体器件进行三维重构的过程中,需要从半导体器件中提取出待测样品,并将待测样品固定在针尖载台上,采用聚焦离子束(Focused Ion Beam,简称为FIB)对针尖载台上的待测样品进行环切以形成针尖形状的待测样品。
然而,上述针尖载台为一次性耗材,从而导致针尖形状的待测样品的制备成本较高。
发明内容
本公开实施例提供一种研磨装置和研磨方法,采用研磨装置研磨后的针尖可以再次用于制备针尖状的待测样品,从而提高了针尖载台的利用率,降低了待测样品的制备成本。
本公开实施例提供如下技术方案:
本公开实施例的第一方面提供一种研磨装置,包括:研磨基座、光发射器和光感应器,研磨基座具有研磨面,研磨面用于研磨待研磨件,待研磨件具有针尖;光发射器的发射端和光感应器的感应端均位于研磨面的所在平面,光发射器发出的光线贴合研磨面并朝向光感应器;针尖的端面抵接研磨面,并遮挡光线向光感应器发射,形成研磨装置的研磨状态。
本公开实施例提供的研磨装置,研磨装置可以包括研磨基座、光发射器和光感应器,研磨基座具有研磨面,研磨面用于研磨待研磨件,待研磨件具有针尖,针尖用于承载待测样品。光发射器的发射端和光感应器的感应端均位于研磨面的所在平面,光发射器发出的光线贴合研磨面并朝向光感应器,光感应器可以接受光发射器发出的光线。当针尖的端面抵接研磨面时,针尖的端面会遮挡光线,以阻止光线向光感应器发射,研磨装置的研磨面转动以研磨针尖的端面,以形成研磨装置的研磨状态。此时,研磨装置可以对针尖的端面进行研磨,以使针尖的端面形成平面,研磨后的针尖可以再次用于制备针尖状的待测样品,从而提高了针尖载台的利用率,降低了待测样品的制备成本。
在一种可能的实施方式中,研磨装置还包括支撑件,支撑件设置在研磨基座的靠近研磨面的一侧,光发射器和光感应器设置于支撑件上,支撑件用于支撑待研磨件。
在一种可能的实施方式中,支撑件与研磨基座之间设置有距离调节件,距离调节件活动连接于支撑件和研磨基座的至少一者,距离调节件用于调节支撑件与研磨基座的距离。
通过调节距离调节件,以使光发射器的发射端和光感应器的感应端位于研磨面的所在平面上。
在一种可能的实施方式中,支撑件具有距离调节孔,距离调节件插设在距离调节孔中,距离调节孔的内壁面具有内螺纹,距离调节件的外壁面具有外螺纹,内螺纹和外螺纹啮合;距离调节件的每转进给量的范围为1mm/R-5mm/R。
可以避免距离调节件的每转进给量过小,以避免调节时间过长;还可以避免距离调节件的每转进给量过大,从而避免调节精度过低。
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