[发明专利]一种红外长波高反膜、制备方法和应用在审
| 申请号： | 202211407071.4 | 申请日： | 2022-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN115903110A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 戴辉;尹士平;刘克武;郭晨光;王奎 | 申请（专利权）人： | 安徽光智科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/20 | 分类号： | G02B5/20;G02B5/28;C23C14/06;C23C14/18;C23C14/26;C23C14/30;C23C14/58 |
| 代理公司： | 滁州创科维知识产权代理事务所(普通合伙) 34167 | 代理人： | 史芳 |
| 地址： | 239000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 红外 长波 高反膜 制备 方法 应用 | ||
1.一种红外长波高反膜，其特征在于：所述高反膜的膜系结构依次为：基底/金/硫化锌/锗/硫化锌/锗/空气，其膜系结构具体厚度为：基底/金为170～190nm/硫化锌为1155～1195nm/锗为642～682nm/硫化锌为1178～1218nm/锗为642～682nm/空气。
2.根据权利要求1所述的一种红外长波高反膜，其特征在于，所述膜系结构具体厚度为：基底/金为180nm/硫化锌为1175nm/锗为662nm/硫化锌为1198nm/锗为662nm/空气。
3.根据权利要求1所述的一种红外长波高反膜，其特征在于，所述基底为铜、硅或钼中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的一种红外长波高反膜，其特征在于，所述高反膜采用真空蒸发镀膜制得。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的一种红外长波高反膜的制备方法，其特征在于：具体包括以下步骤：
S01：对基底材料进行清洗；
S02：将镀膜机真空抽至1.5*10-3Pa以下压力，加热至150～180℃；
S03：在镀膜机内对基底材料进行离子清洗；
S04：按照膜系结构及厚度依次进行镀膜处理；
S05：镀膜完成后，保持温度150～180℃，加热老化膜层。
6.根据权利要求5所述的一种红外长波高反膜的制备方法，其特征在于，所述S04中镀金膜和硫化锌膜时，采用蒸发舟电阻加热方式镀膜，镀锗膜时采用电子束加热蒸发方式镀膜。
7.根据权利要求5所述的一种红外长波高反膜的制备方法，其特征在于，所述S04中镀金膜和硫化锌膜时，均采用离子源辅助镀膜。
8.根据权利要求5所述的一种红外长波高反膜的制备方法，其特征在于，所述S04中锗的镀膜速率为0.3～0.5nm/s，硫化锌的镀膜速率为0.4～0.9nm/s。
9.根据权利要求5所述的一种红外长波高反膜的制备方法，其特征在于，所述S05中的加热时间为20～40min。
10.一种基于权利要求1～4中任一项所述的红外长波高反膜的应用，其特征在于：所述红外长波高反膜在红外激光系统、太阳能电池上的应用。
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