[发明专利]IGBT器件及其制备方法

权利要求书

1.一种IGBT器件，其特征在于，所述IGBT器件包括：

衬底，所述衬底上形成有IGBT器件的IGBT发射极、IGBT栅极和IGBT集电极；

虚设栅极，设置于所述IGBT栅极和所述IGBT发射极之间；

NMOS管，所述NMOS管设置于所述衬底上，且设置于所述IGBT栅极和所述虚设栅极之间，所述NMOS管的源极和栅极与所述IGBT栅极电连接，所述NMOS管的漏极与所述虚设栅极电连接；

NPN三极管，所述NPN三极管设置于所述衬底上，且设置于所述虚设栅极和所述IGBT发射极之间，所述NPN三极管的集电极与所述虚设栅极电连接，所述NPN三极管的发射极与所述IGBT发射极电连接，所述NPN三极管的基极通过电感与所述IGBT发射极电连接。

2.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于：当所述IGBT器件导通时，所述IGBT栅极施加阈值电压，所述阈值电压同时施加于所述NMOS管的栅极以使所述NMOS管导通，从而使所述IGBT栅极与所述虚设栅极连接，虚设栅极下方形成沟道以降低所述IGBT器件的导通损耗。

3.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于：当所述IGBT器件关断时，所述IGBT发射极的电流下降，所述NPN三极管与所述IGBT发射极之间的电感存在电压变化，从而使所述NPN三极管处于放大状态而导通，使得所述虚设栅极与所述IGBT发射极连接，从而降低所述IGBT器件的关断损耗。

4.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于：所述NMOS管的阈值电压小于或等于所述IGBT栅极的阈值电压，且所述IGBT栅极的阈值电压与所述NMOS管的阈值电压之差小于或等于5V。

5.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于：所述IGBT栅极和所述虚设栅极设置为环形，所述虚设栅极环绕于所述IGBT发射极外围，所述IGBT栅极环绕于所述虚设栅极外围。

6.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于：所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述IGBT发射极和IGBT栅极设置于所述衬底的第一面，所述IGBT集电极设置于所述衬底的第二面，或/及所述IGBT器件还包括场截止层，设置于所述衬底中，并靠近所述IGBT集电极设置。

7.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于：所述电感的电感值为10nH~20nH。

8.一种IGBT器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：

提供一衬底，于所述衬底上形成IGBT器件的IGBT发射极、IGBT栅极、IGBT集电极和虚设栅极，所述虚设栅极设置于所述IGBT栅极和所述IGBT发射极之间；

于所述衬底上设置NMOS管，所述NMOS管置于所述IGBT栅极和所述虚设栅极之间，所述NMOS管的源极和栅极与所述IGBT栅极电连接，所述NMOS管的漏极与所述虚设栅极电连接；

于所述衬底上设置NPN三极管，所述NPN三极管置于所述虚设栅极和所述IGBT发射极之间，所述NPN三极管的集电极与所述虚设栅极电连接，所述NPN三极管的发射极与所述IGBT发射极电连接，所述NPN三极管的基极通过电感与所述IGBT发射极电连接。