[发明专利]半导体结构和半导体结构的制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

设置在所述衬底上的半导体外延层；

设置于所述半导体外延层中的有源区和终端区；

设置在所述半导体外延层上的场氧化层，所述场氧化层被配置为从所述有源区边缘向所述终端区延伸；

被配置为从所述有源区上延伸设置在部分所述场氧化层上的阳极层；所述阳极层包括：背离所述有源区的顶壁，以及面向所述场氧化层且与所述场氧化层相接的侧壁；所述阳极层的侧壁与所述阳极层的顶壁之间通过一连接面连接，所述连接面为弧形，以使所述阳极层的侧壁与顶壁之间能够平滑过渡；

以及，被配置为覆盖在所述场氧化层和延伸覆盖在所述连接面上的钝化层；

其中，所述阳极层的侧壁呈斜面状，并向所述有源区倾斜，且所述阳极层的侧壁与所述场氧化层的表面之间的夹角在30°-60°之间。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述场氧化层包括：面向所述有源区的侧面和背离所述终端区的顶面，所述场氧化层的顶面平行于所述终端区的表面，所述场氧化层的侧面向所述终端区倾斜。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述阳极层覆盖在所述场氧化层的顶面。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述阳极层被配置为从所述有源区延伸设置在所述场氧化层的顶面上且在第一方向延伸长度为0-50μm，所述第一方向为所述有源区到所述终端区的布置方向。

5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述场氧化层的侧面与所述终端区的表面之间的夹角在30°-60°之间。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述阳极层的顶壁上设置有一凹部，所述凹部边缘与所述阳极层的侧壁通过接合处连接，所述接合处的一段为所述连接面。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述接合处为所述连接面。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述接合处为所述连接面与部分所述顶壁，所述钝化层覆盖在所述阳极层的侧壁上，并延伸覆盖至所述接合处上。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述钝化层覆盖所述接合处的长度为2μm-100μm之间。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括保护层，所述保护层被配置为覆盖全部所述钝化层并延伸覆盖所述阳极层的部分顶壁上。

11.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一基底结构，所述基底结构包括衬底，设置在衬底上的半导体外延层，设置于所述半导体外延层中的有源区和终端区，设置在所述半导体外延层上的场氧化层，所述场氧化层被配置为从所述有源区边缘向所述终端区延伸；

在所述有源区和所述场氧化层上形成阳极层，所述阳极层被配置为从所述有源区上延伸设置在部分所述场氧化层上；所述阳极层包括：背离所述有源区的顶壁，以及面向所述场氧化层且与所述场氧化层相接的侧壁；所述阳极层的侧壁与所述阳极层的顶壁之间通过一连接面连接，所述连接面为弧形，以使所述阳极层的侧壁与顶壁之间能够平滑过渡；

在所述场氧化层和所述阳极层上形成钝化层，所述钝化层被配置为覆盖在所述场氧化层和延伸覆盖在所述连接面上；

其中，所述阳极层的侧壁呈斜面状，并向所述有源区倾斜，且所述阳极层的侧壁与所述场氧化层的表面之间的夹角在30°-60°之间。