[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202211410654.2 | 申请日： | 2022-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN115832041A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 何清源;郝荣晖;黄敬源 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 519085 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种氮化物半导体器件，其特征在于，包括：
第一氮化物半导体层；
第二氮化物半导体层，设置于所述第一氮化物半导体层上且其具有的带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙；
至少一栅极结构，设置于所述第二氮化物半导体层上；
源极与至少一漏极，设置于所述第二氮化物半导体层上，且所述栅极结构位于所述源极与所述漏极之间；
介电层，覆盖所述栅极结构；以及
至少一栅极覆盖层，覆盖所述栅极结构且被所述介电层覆盖，且所述栅极覆盖层中靠近所述漏极的一端与所述漏极通过所述介电层间隔出一距离。
2.如权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征在于，其中，
所述至少一栅极结构包括第一栅极结构与第二栅极结构，所述至少一漏极包括第一漏极与第二漏极，所述至少一栅极覆盖层包括第一栅极覆盖层与第二栅极覆盖层，
其中，所述第一栅极结构位于所述源极与所述第一漏极之间且被所述第一栅极覆盖层覆盖，且所述第二栅极结构位于所述源极与所述第二漏极之间且被所述第二栅极覆盖层覆盖。
3.如权利要求2所述的氮化物半导体器件，其特征在于，其中，
所述第一栅极覆盖层与所述第二栅极覆盖层之一者与所述源极接触，所述第一栅极覆盖层与所述第二栅极覆盖层之另一者通过所述介电层与所述源极间隔出一距离。
4.如权利要求2所述的氮化物半导体器件，其特征在于，其中所述第一栅极覆盖层与所述第二栅极覆盖层皆与所述源极接触。
5.如权利要求2所述的氮化物半导体器件，其特征在于，其中所述第一与第二栅极覆盖层中的一者与其相应的所述漏极通过所述介电层间隔出第一距离，所述第一与第二栅极覆盖层中的另一者与其相应的所述漏极通过所述介电层间隔出第二距离，其中所述第一距离不同于所述第二距离。
6.如权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征在于，其中所述栅极覆盖层中靠近所述源极的一端与所述源极接触。
7.如权利要求6所述的氮化物半导体器件，其特征在于，其中所述介电层与所述栅极覆盖层共同覆盖所述源极的一侧表面。
8.如权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征在于，其中所述栅极覆盖层中靠近所述源极的一端与所述源极通过所述介电层间隔出一距离。
9.如权利要求8所述的氮化物半导体器件，其特征在于，其中所述介电层完整地覆盖所述源极的一侧表面。
10.如权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征在于，其中所述栅极结构通过所述栅极覆盖层与所述介电层隔开。
11.如权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征在于，其中所述栅极结构包括掺杂的氮化物半导体层与栅极，其中所述掺杂的氮化物半导体层与所述第二氮化物半导体层接触，且所述栅极设置于所述掺杂的氮化物半导体层上。
12.如权利要求11所述的氮化物半导体器件，其特征在于，其中所述掺杂的氮化物半导体层具有的宽度小于所述栅极具有的宽度。
13.如权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征在于，其中所述介电层的材料不同于所述栅极覆盖层的材料。
14.如权利要求13所述的氮化物半导体器件，其特征在于，其中所述介电层的材料包括二氧化硅。
15.如权利要求13所述的氮化物半导体器件，其特征在于，其中所述栅极覆盖层的材料包括氮化硅。
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