[发明专利]一种清洗液的制备方法

说明书

本发明公开了一种清洗液的制备方法。该制备方法包括如下步骤：将所述的清洗液中的各个组分混合，即得到所述的清洗液；所述的清洗液由下述原料制得，所述的原料包括下列质量分数的组分：醇胺、5‑20％羟胺、半胱氨酸、0.01‑0.05％水溶性高分子、有机碱、螯合剂、缓蚀剂、羧酸铵、0.01‑1％EO‑PO聚合物L81、0.01‑2％1‑(苯并三氮唑‑1‑甲基)‑1‑(2‑甲基苯并咪唑)以及水，水补足余量。采用本发明的清洗液的制备方法制得的清洗液可以清洗的残留物范围广，且一般对曝露的基板材料(例如，曝露的低k介质材料、金属氧化物、金属、金属氮化物及其合金)无腐蚀性。

技术领域

本发明涉及一种清洗液的制备方法。

背景技术

在芯片制造技术中，铜互联等离子刻蚀后残余物清洗液以含氟清洗液为主。随着技术节点的不断前进，越来越多的材料被引入，如钴、钛、钨、氮化钛等金属材料，以及低k介质材料等，进而对传统的含氟清洗液与多种材料的兼容性形成挑战。

等离子干蚀刻常用于在铜(Cu)/低介电常数双镶嵌制造工艺中制造垂直侧壁沟槽和各向异性互连通路。随着技术节点发展至45nm及更小(比如7nm)，半导体设备尺寸的缩小使得达到通路与沟槽的精准轮廓控制更具挑战性。集成电路制造公司正在研究利用各种硬遮罩来改善对低介电常数材料的蚀刻选择性，从而获得更佳的轮廓控制。在刻蚀后残留物清洗制程中，需对越来越多种类的金属及介电材料进行保护，因此对传统的清洗液与多种材料的兼容性形成挑战。

开发兼容性强的清洗液成为本领域亟待解决的一个问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是为了克服传统的清洗液中的兼容性不佳的问题，而提供了一种清洗液的制备方法。采用本发明的清洗液的制备方法制得的清洗液至少具有如下一种或多种优点：可以清洗的残留物范围广；且一般对曝露的基板材料(例如，曝露的低k介质材料、金属氧化物(诸如AlOx)、金属(诸如铝、铝/铜合金、铜、钛、钽、钨和钴)、金属氮化物(诸如氮化铝、氧化氮化铝、氮化钛、氮化钽和氮化钨)、及其合金)无腐蚀性。

本发明是通过以下技术方案解决上述技术问题的。

本发明提供了一种清洗液的制备方法，其包括如下步骤，将所述的清洗液中的各个组分混合，即得到所述的清洗液；

所述的清洗液由下述原料制得，所述的原料包括下列质量分数的组分：醇胺、5-20％羟胺、半胱氨酸、0.01-0.05％水溶性高分子、有机碱、螯合剂、缓蚀剂、羧酸铵、0.01-1％EO-PO聚合物L81、0.01-2％1-(苯并三氮唑-1-甲基)-1-(2-甲基苯并咪唑)以及水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；

所述缓蚀剂为偕胺肟化的二氨基马来腈或甲苯三唑-偕胺肟化的二氨基马来腈的混合物；

所述的水溶性高分子通过如下制备方法制得，其制备方法包括下述步骤：

步骤(1)：将丙烯酰胺、两性单体甲基丙烯酰氧乙基-N,N-二甲基丙磺酸盐与疏水单体二十二烷基聚氧乙烯醚甲基丙烯酸酯溶于水中，得到混合物I；

所述丙烯酰胺与所述两性单体的摩尔比为(18-19):1；所述疏水单体与所述两性单体的摩尔比为(20-200):1；

步骤(2)：将引发剂加入到步骤(1)得到的混合物I中进行除氧，得到混合物II；

所述引发剂为过硫酸钾、亚硫酸氢钠和偶氮二异丁脒盐酸盐混合物，所述亚硫酸氢钠与过硫酸钾的摩尔比为2:1；所述偶氮二异丁脒盐酸盐与过硫酸钾的摩尔比为6:1；相对于聚合体系体积，过硫酸钾的加入量为0.11-0.3mol.L^-1；

步骤(3)：步骤(2)得到的混合物II在70-85℃下反应，得到所述水溶性高分子。

各组分的质量分数为各组分中的质量占所述的清洗液中所有组分总质量的质量百分比。