[发明专利]一种基于STT和SOT协同作用的磁随机存储器结构

权利要求书

1.一种基于STT和SOT协同作用的磁随机存储器结构，其特征在于，包括：

若干个互联的磁随机存储单元；其中，所述磁随机存储单元包括：

源线source line(5)，字线word line(6)，位线bit line(7)，磁性隧道结MTJ；

所述source line(5)用于对所述磁随机存储器结构输送电力；

所述word line(6)用于控制所述MTJ的写入与读出；

所述bit line(7)用于控制写入电流的输入并用于所述MTJ的阻态的读出；

所述MTJ用于对需要存储的数据进行存储。

2.根据权利要求1所述的基于STT和SOT协同作用的磁随机存储器结构，其特征在于，所述wordline(6)基于所述source line(5)的电力供给情况，控制结构回路的连接状态，进而控制所述MTJ的写入与读出。

3.根据权利要求1所述的基于STT和SOT协同作用的磁随机存储器结构，其特征在于，所述bitline(7)包括自旋转移力矩位线STT bitline(8)、自旋轨道转矩位线SOT bit line(9)。

4.根据权利要求3所述的基于STT和SOT协同作用的磁随机存储器结构，其特征在于，所述MTJ包括自由层(1)、隧穿层(2)、钉扎层(3)、重金属层(4)，其中，重金属层(4)、自由层(1)、隧穿层(2)、钉扎层(3)从上到下依次相连。

5.根据权利要求4所述的基于STT和SOT协同作用的磁随机存储器结构，其特征在于，所述钉扎层(3)与所述STT bit line(8)相连，所述重金属层(4)与所述SOT bit line(9)相连。

6.根据权利要求1所述的基于STT和SOT协同作用的磁随机存储器结构，其特征在于，基于对所述bit line(7)供给电流的方式，改变所述磁性隧道结MTJ中的自由层(1)磁化状态，进而改变所述MTJ的电阻大小，控制信息的写入和读出。

7.根据权利要求4所述的基于STT和SOT协同作用的磁随机存储器结构，其特征在于，两个所述磁随机存储单元进行互联时，共用所述source line(5)和所述SOT bit line(9)，互联完成后得到互联结构。

8.根据权利要求7所述的基于STT和SOT协同作用的磁随机存储器结构，其特征在于，基于所述互联结构构建磁随机存储器结构。