[发明专利]一种金刚石线切割晶体硅片的绒面制备方法

权利要求书

1.一种金刚石线切割晶体硅片的绒面制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、预处理：取金刚石线切割晶体硅片与硼源置于扩散炉中，通入氮气作为保护气，升温，持续扩散15-20分钟，降温后获得表面带有硼掺杂层的改性金刚石线切割晶体硅片；

S2、制绒：将步骤S1制得的表面带有硼掺杂层的改性金刚石线切割晶体硅片使用混酸或碱溶液处理，即可完成绒面制备。

2.如权利要求1所述的一种金刚石线切割晶体硅片的绒面制备方法，其特征在于，所述步骤S1中的氮气的流量为0.5～1.0L/min。

3.如权利要求1所述的一种金刚石线切割晶体硅片的绒面制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，硼源选自硼酸三甲酯、硼酸三丙酯、三溴化硼中一种或多种。

4.如权利要求1所述的一种金刚石线切割晶体硅片的绒面制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，扩散的温度为800～1000℃。

5.如权利要求1所述的一种金刚石线切割晶体硅片的绒面制备方法，其特征在于，所述步骤S1制得的表面带有硼掺杂层的改性金刚石线切割晶体硅片的掺杂层厚度为0.3～0.8μm。

6.如权利要求1～5任意一项所述的一种金刚石线切割晶体硅片的绒面制备方法，其特征在于，使用HF/HNO₃/H₂O混酸对步骤S1制得的改性金刚石线切割晶体硅片中的多晶硅片进行刻蚀制绒，使用KOH或NaOH碱溶液对步骤S1制得的改性金刚石线切割晶体硅片中的单晶体硅片进行刻蚀制绒。

7.如权利要求6所述的一种金刚石线切割晶体硅片的绒面制备方法，其特征在于，所述HF/HNO₃/H₂O混酸中各组分的摩尔比为：m(HF)：m(HNO₃)：m(H₂O)＝(1～2)：(3～4)：(7～8)。

8.如权利要求6所述的一种金刚石线切割晶体硅片的绒面制备方法，其特征在于，使用HF/HNO₃/H₂O混酸对多晶硅片进行刻蚀制绒时，刻蚀制绒反应温度为6～8℃。

9.如权利要求6所述的一种金刚石线切割晶体硅片的绒面制备方法，其特征在于，使用KOH或NaOH碱溶液对单晶体硅片进行刻蚀制绒时，溶液中KOH或NaOH的浓度为40～60％。

10.如权利要求6所述的一种金刚石线切割晶体硅片的绒面制备方法，其特征在于，使用KOH或NaOH溶液对单晶体硅片进行刻蚀制绒时，刻蚀制绒反应温度为80～85℃。