[发明专利]用于激光加工头的偏转设备以及用于加工工件的激光加工头

权利要求书

1.一种用于激光加工头(100)的偏转设备(14)，所述偏转设备用于偏转加工激光射束(15)以用于加工工件(13)，其中，所述偏转设备(14)包括：

至少一个镜元件(10)，所述至少一个镜元件是可变形的和/或可运动地布置的，以便使所述加工激光射束(15)定向至所述工件(13)上的不同位置，

其中，所述镜元件(10)包括至少一个衬底(4)和布置在所述衬底(4)上的至少一个反射性多层结构(3)，多个晶状的第一层(1)和多个晶状的第二层(2)交替地彼此上下地布置在所述多层结构中，所述多个晶状的第一层具有在第一值范围内的第一折射率，所述多个晶状的第二层具有在第二值范围内的第二折射率，

其中，所述晶状的第一层(1)的所述第一折射率和所述晶状的第二层(2)的所述第二折射率彼此不同。

2.根据权利要求1所述的偏转设备(14)，其中，所述反射性多层结构(3)直接布置在所述衬底(4)上，和/或，其中，所述反射性多层结构(3)通过范德瓦尔斯力和/或共价键紧固在所述衬底(4)上。

3.根据前述权利要求中任一项所述的偏转设备(14)，其中，所述第一层(1)中的至少两个第一层或所有第一层的第一折射率基本上相同，和/或，其中，所述第一层(1)中的至少两个第一层或所有第一层基本上由相同的材料组成，和/或，其中，所述第一层(1)中的至少两个第一层或所有第一层具有基本上相同的层厚。

4.根据前述权利要求中任一项所述的偏转设备(14)，其中，所述第二层(2)中的至少两个第二层或所有第二层的第二折射率基本上相同，和/或，其中，所述第二层(2)中的至少两个第二层或所有第二层基本上由相同的材料组成，和/或，其中，所述第二层(2)中的至少两个第二层或所有第二层具有基本上相同的层厚。

5.根据前述权利要求中任一项所述的偏转设备(14)，其中，所述衬底(4)包括以下材料中的至少一种：硅Si、石英玻璃SiO₂、氧化铝Al₂O₃、蓝宝石和碳化硅SiC。

6.根据前述权利要求中任一项所述的偏转设备(14)，其中，所述第一层(1)和所述第二层(2)分别由半导体组成和/或包括以下材料中的至少一种：III-V半导体和/或II-VI半导体的二元、三元和/或四元化合物，和/或，带有可变铝含量的铝砷化镓Al_xGa₁As。

7.根据前述权利要求中任一项所述的偏转设备(14)，其中，所述多层结构(3)具有高于5W/mK的热导率。

8.根据前述权利要求中任一项所述的偏转设备(14)，其中，所述第二层(2)中的至少一个第二层外延生长在所述第一层(1)中的一个第一层上，和/或，其中，所述第一层(1)中的至少一个第一层外延生长在所述第二层(2)中的一个第二层上。

9.根据前述权利要求中任一项所述的偏转设备(14)，其中，所述多层结构(3)包括高于5个、尤其是高于10个并且优选高于20个的单晶的第一层和第二层，和/或，所述多层结构具有高于0.5μm、尤其是高于1μm、优选高于5μm的厚度。

10.根据前述权利要求中任一项所述的偏转设备(14)，其中，所述多层结构(3)设置用于，反射最大份额的、在预先确定的波长范围内的入射的电磁辐射。

11.根据权利要求10所述的偏转设备(14)，其中，所述多层结构(3)在所述预先确定的波长范围内具有小于约50ppm、尤其是小于约10ppm并且优选小于约1ppm的吸收。