[发明专利]一种光电耦合器及其引线框架和制备方法在审
申请号: | 202211434404.2 | 申请日: | 2022-11-16 |
公开(公告)号: | CN115763414A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 喻晓鹏;雷国文;钟诗琴;朱明军;李玉容;张莉 | 申请(专利权)人: | 佛山市国星光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L25/16;H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人: | 吴静芝 |
地址: | 528000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光电 耦合器 及其 引线 框架 制备 方法 | ||
1.一种光电耦合器引线框架,所述引线框架为一金属片,其特征在于:包括多个框架单元和多个相互平行的连接条,所述框架单元间隔排列在所述连接条上;每个框架单元包括两个相邻的功能部以及两个垂直连接所述连接条的引脚,所述两个功能部均位于所述连接条的一侧,且分别连接所述两个引脚,所述两个引脚的端部位于所述连接条的另一侧;每个功能部的面积足以容纳一个芯片安装固定,所述芯片为发光芯片和感光芯片中的任一种。
2.根据权利要求1所述的引线框架,其特征在于:每个框架单元中,所述两个功能部的中央分别设置有一定位点,所述两个功能部的定位点连线垂直于所述连接条。
3.根据权利要求2所述的引线框架,其特征在于:每个框架单元中,所述两个功能部分别为第一功能部和第二功能部,所述第一功能部靠近所述两个引脚的端部,而所述第二功能部远离所述两个引脚的端部;所述第一功能部的面积足以容纳一个感光芯片安装固定,所述第二功能部的面积足以容纳一个发光芯片安装固定。
4.根据权利要求3所述的引线框架,其特征在于:每个框架单元中,所述第一功能部与第二功能部之间由一条弯折的缝隙分隔,使所述第一功能部的边缘形成一个凸起,而所述第二功能部的边缘形成一个与所述凸起形状互补的缺口。
5.一种光电耦合器,其特征在于:包括两个相向设置的框架单元、发光芯片、感光芯片和封装结构,所述两个框架单元均为权利要求1所述的引线框架中的框架单元,所述两个框架单元的功能部彼此相对,所述发光芯片和所述感光芯片分别设置在所述两个框架单元中;所述发光芯片安装固定在其所在的框架单元中的一个功能部内,并通过导线与相邻的另一个功能部连接;所述感光芯片安装固定在其所在的框架单元中的一个功能部内,并通过导线与相邻的另一个功能部连接;所述发光芯片与所述感光芯片位置相对;所述封装结构将所述两个框架单元、发光芯片和感光芯片封装成一体。
6.根据权利要求5所述的光电耦合器,其特征在于:每个框架单元中,所述两个功能部的中央分别设置有一定位点,所述两个功能部的定位点连线垂直于所述连接条;所述两个框架单元的功能部的定位点彼此对准;所述发光芯片的固定位置点对准其所在的功能部的定位点;所述感光芯片的固定位置点对准其所在的功能部的定位点;所述发光芯片与所述感光芯片呈对射形态。
7.根据权利要求6所述的光电耦合器,其特征在于:每个框架单元中,所述两个功能部分别为第一功能部和第二功能部,所述第一功能部靠近所述两个引脚的端部,而所述第二功能部远离所述两个引脚的端部;所述发光芯片固定于其所在的框架单元的第二功能部内,所述感光芯片固定于其所在的框架单元的第一功能部内。
8.根据权利要求5-7任一项所述的光电耦合器,其特征在于:所述封装结构包括在最外部的外封装层以及包裹所述发光芯片的内封装层,所述内封装层的材料为含有彩色色素的透光硅胶。
9.根据权利要求8所述的光电耦合器,其特征在于:所述外封装层从内向外包括第一外封装层和第二外封装层,所述第一外封装层的材料为透光的白色环氧树脂,所述第二外封装层的材料为遮光的黑色环氧树脂。
10.根据权利要求5-7任一项所述的光电耦合器,其特征在于:所述两个框架单元的引脚均伸出所述封装结构外,并朝所述封装结构外的同一侧弯折。
11.一种光电耦合器的制备方法,包括制备引线框架、固晶、焊线、点胶、叠片、封装、折弯引脚和切割的步骤,其特征在于:所述引线框架为权利要求1-4任一项所述的引线框架,所述固晶步骤为:取两片引线框架,在一片引线框架的每个框架单元中的一个功能部内安装固定一发光芯片,在另一片引线框架的每个框架单元中的一个功能部内安装固定一感光芯片;所述焊线步骤为:利用导线将每个框架单元中的发光芯片或感光芯片连接到与其相邻的另一个功能部;所述叠片步骤为:将所述两片引线框架叠合在一起,使所述两片引线框架上的发光芯片和感光芯片位置相对。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市国星光电股份有限公司,未经佛山市国星光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211434404.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。