[发明专利]一种高纯锗漂移探测器

权利要求书

1.一种高纯锗漂移探测器，其特征在于，包括：

主体部分，其包括探测器晶体、覆盖于探测器晶体的全部表面的无定形锗接触层以及设置于主体部分的顶部和底部的电极层；所述电极层包括位于主体部分最顶部的分离电极组和完整覆盖于主体部分最底部的整体电极，所述分离电极组包括位于探测器晶体的顶部中央的电荷收集电极和环绕于所述电荷收集电极的多个环形电极；最外侧的环形电极为保护环电极，设置于电荷收集电极和保护环电极之间的多个环形电极为漂移电极；

电压偏置部分，其设置为向环形电极和整体电极均施加正偏压，且漂移电极施加的电压绝对值由外到里逐渐递减，中央的电荷收集电极处于地电位，保护环电极的电位大于或等于相邻的漂移电极电位；以及

信号采集处理系统，其与所述电荷收集电极相连。

2.根据权利要求1所述的高纯锗漂移探测器，其特征在于，所述无定形锗接触层的厚度为几十至几百纳米；所述无定形锗接触层利用磁控溅射蒸镀的方式在探测器晶体的全部表面上制作得到。

3.根据权利要求1所述的高纯锗漂移探测器，其特征在于，所述电荷收集电极、漂移电极和保护环电极是相对于中心旋转对称的。

4.根据权利要求3所述的高纯锗漂移探测器，其特征在于，所述电荷收集电极是圆形的，漂移电极和保护环电极是圆环形的；或者所述电荷收集电极是正方形的，漂移电极和保护环电极是正方环形的；或者所述电荷收集电极是正六边形的，漂移电极和保护环电极是正六边环形的。

5.根据权利要求1所述的高纯锗漂移探测器，其特征在于，所述电极层的厚度为几十纳米；所述电极层采用热电子蒸镀、电子束蒸镀和磁控溅射蒸镀的一种制造。

6.根据权利要求1所述的高纯锗漂移探测器，其特征在于，所述信号采集处理系统包括与电荷收集电极依次相连的电荷灵敏前置放大器和数据处理系统。

7.根据权利要求1所述的高纯锗漂移探测器，其特征在于，所述电极层的材质为金属导体。

8.根据权利要求7所述的高纯锗漂移探测器，其特征在于，所述电极层的材质为铝。

9.根据权利要求1所述的高纯锗漂移探测器，其特征在于，所述探测器晶体的材料是P型或N型的高纯度的锗材料。