[发明专利]用于直接耦合到RF驱动器电路的InP马赫-曾德尔调制器的偏置方法

权利要求书

1.一种MZ干涉仪，包括：

第一耦合，被配置为：

接收DC电源；

差分驱动的MZ电极对，被配置为：

将RF信号赋予通过所述MZ干涉仪的相应臂行进的光，并且

经由所述MZ干涉仪的下n型包层接收DC偏置作为正电压；

所述下n型包层处于与所述MZ干涉仪的上平面RF接地不同的正DC电势，并且具有与所述上平面RF接地相似的AC电势；

第二耦合，被配置为:

通过所述差分驱动的MZ电极对，传输从所述第一耦合接收的所述DC电源。

2.如权利要求1所述的MZ干涉仪，还包括：

为所述差分驱动的MZ电极对提供差分RF端接的电阻器对。

3.如权利要求2所述的MZ干涉仪，还包括:

在所述电阻器对之间的中心点处形成的虚拟接地、以及射频接地之间的电容耦合。

4.如权利要求3所述的MZ干涉仪，其中所述电容耦合被配置为：

提供共模RF端接。

5.如权利要求4所述的MZ干涉仪，其中所述电容耦合由10pF电容的电容器件提供。

6.如权利要求3所述的MZ干涉仪，其中所述DC电源通过电感焊线连接被施加到所述中心点。

7.如权利要求3所述的MZ干涉仪，其中所述电容耦合由一个或多个芯片上电容器件提供。

8.如权利要求7所述的MZ干涉仪，其中所述电容耦合还由芯片外电容器件提供。

9.如权利要求2所述的MZ干涉仪，其中所述电阻器对被配置为串联连接。

10.如权利要求2所述的MZ干涉仪，其中所述电阻器对提供50至100欧姆之间的差分端接阻抗。

11.如权利要求1所述的MZ干涉仪，其中所述第二耦合进一步被配置为直接耦合所述MZ干涉仪和驱动电路。

12.一种方法，包括：

对MZ干涉仪的第一耦合施加DC电源；

经由所述MZ干涉仪的差分驱动的MZ电极对，将RF信号赋予通过所述MZ干涉仪的相应臂行进的光；

经由所述MZ干涉仪的下n型包层，向所述MZ干涉仪的所述差分驱动的MZ电极对施加作为正电压的DC偏置；

所述下n型包层处于与所述MZ干涉仪的上平面RF接地不同的正DC电势，并且具有与所述上平面RF接地相似的AC电势；以及通过所述MZ干涉仪的第二耦合，将从所述第一耦合收到的所述DC电源通过所述差分驱动的MZ电极对传输。

13.如权利要求12所述的方法，还包括：

通过所述MZ干涉仪的电阻器对，为所述差分驱动的MZ电极对提供差分RF端接。

14.如权利要求12所述的方法，还包括：

通过电容耦合，提供共模RF端接。

15.如权利要求14所述的方法，其中，所述电容耦合在所述电阻器对之间的中心点处形成的虚拟接地、以及射频接地之间。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述施加DC电源包括：

通过电感焊线将所述DC电源施加到所述中心点。

17.如权利要求14所述的方法，其中所述电容耦合由一个或多个芯片上电容器件提供。

18.如权利要求17所述的方法，其中所述电容耦合还由芯片外电容器件提供。