[发明专利]半导体封装以及制造半导体封装的方法在审

专利信息
申请号: 202211445602.9 申请日: 2022-11-18
公开(公告)号: CN116504741A 公开(公告)日: 2023-07-28
发明(设计)人: 陈俊玮;骆彦彬;柯明吟 申请(专利权)人: 达发科技(香港)有限公司
主分类号: H01L23/492 分类号: H01L23/492;H01L21/60
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王锐
地址: 中国香*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 以及 制造 方法
【说明书】:

发明公开一种半导体封装以及制造半导体封装的方法,其中该半导体封装包含印刷电路板、半导体装置、中介层以及导电胶。印刷电路板具有至少一接地区域形成其上的上表面。半导体装置具有至少一第一第一种类型接点形成其上的下表面。中介层设置于印刷电路板与半导体装置之间。半导体装置的下表面通过导电胶而粘着至中介层的上表面,且导电胶会溢流超出中介层的上表面的边缘而接触于印刷电路板的上表面上的至少一接地区域。

技术领域

本发明涉及半导体封装,尤其是涉及一种通过溢流的导电胶来缩短回流路径(return path)的半导体封装以及相关的方法。

背景技术

电流总是会从来源端流向负载端,再通过回流路径返回至来源端,对于低频来说,接地电流(ground current)会选择最小电阻的路径,对于高频来说,接地电流会选择最小阻抗(其包含电阻(resistive)及电抗(reactive)成分)的路径。当交流电流通过回流路径时,会在附近建立电场,使得整体的系统性能产生劣化,因此,回流路径应该要适当处理以获得更佳的信号完整性(signal integrity)。

在第一种传统设计中,打线接合制作工艺(wire bonding process)用来将半导体装置的接地连接至印刷电路板的接地,然而,这使得回流路径被延长,进而造成效能劣化,此外,这也会增加印刷电路板上布局区域的面积。在第二种传统设计中,硅导通孔(throughsilicon via,TSV)方法被用来缩短回流路径,然而,这是一个高成本的解决方案,主要是因为制作工艺相当复杂。在第三种传统设计中,可被使用的元件被局限在那些可以直接连接至印刷电路板的接地的元件,此举也降低了产品应用的选择性。因此,需要一种创新的半导体封装,其可采用低成本的解决方案来缩短回流路径并且可适用于各种产品应用。

发明内容

本发明的目的一在于提出一种通过溢流的导电胶来缩短回流路径的半导体封装以及相关的方法。

在本发明的一个实施例中,揭露一种半导体封装。该半导体封装包含一印刷电路板、一半导体装置、一中介层以及一导电胶。该印刷电路板具有至少一接地区域形成其上的一上表面。该半导体装置具有至少一第一第一种类型接点形成其上的一下表面。该中介层位于该半导体装置与该印刷电路板之间。该半导体装置的该下表面通过该导电胶而粘着至该中介层的一上表面,以及该导电胶会溢流超出该中介层的该上表面的边缘而接触于该印刷电路板的该上表面上的该至少一接地区域。

在本发明的另一个实施例中,揭露一种制造一半导体封装的方法,包含:将一中介层设置于一印刷电路板的上方,其中该印刷电路板具有至少一接地区域形成其上的一上表面;涂布一导电胶至该中介层的一上表面,包含:允许该导电胶溢流超出该中介层的该上表面的边缘,以接触该印刷电路板的该上表面上的该至少一接地区域;以及通过该导电胶来将一半导体装置堆叠在该中介层上,其中该半导体装置具有至少一第一第一种类型接点形成其上的一下表面。

本案所揭示的解决方案可通过溢流的导电胶来使得半导体装置的接地与印刷电路板的接地之间具有较短的回流路径,此外,本案所揭示的解决方案是一个无需复杂硅导通孔制作工艺的低成本解决方案。

附图说明

图1为本发明一实施例的半导体封装的俯视图;

图2为图1所示的半导体封装沿着切线A-A’的剖面图;

图3为系统电源关闭的条件之下所获得的测量结果的示意图;

图4为系统电源开启的条件之下所获得的测量结果的示意图;

图5为本发明一实施例的制造一半导体封装的方法的流程图。

符号说明

100:半导体封装

102:印刷电路板

104:硅中介层

106:光学装置

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于达发科技(香港)有限公司,未经达发科技(香港)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211445602.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top