[发明专利]一种发光层、发光器件和显示装置

说明书

本申请提供了一种发光层、发光器件和显示装置，涉及显示技术领域，该发光层至少包括：第一热激活延迟荧光材料，所述第一热激活延迟荧光材料的反系间窜越速率kRISC满足：kRISC＞1.0×10supgt;4/supgt;ssupgt;‑1/supgt;；所述第一热激活延迟荧光材料处于纯膜状态的情况下的光致发光量子产率PLQY满足：PLQY≥50％；所述第一热激活延迟荧光材料的水平偶极子比θ//满足：θ//＞67％。本申请提供的发光层，通过第一热激活延迟荧光材料，从而可以使得应用该发光层的发光器件的发光效率和发光性能较高。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光层、发光器件和显示装置。

背景技术

目前的OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置的发光方式分为磷光发光和荧光发光，其中荧光发光的OLED显示装置由于其优异的特性得到越来越广泛的应用。

然而，传统有机荧光发光材料受激发后会以25∶75的比例产生单重态激子和三重态激子，25％的单重态激子跃迁到基态时放射荧光，75％的三重态激子跃迁到基态时不发光。由于无法将产生比例高的三重态激子用于发光，必然导致传统荧光发光材料的发光效率低，使得基于荧光发光的OLED显示装置的IQE(Internal Quantum Efficiency，内量子效率)最高只能达到其理论极限值，致使基于传统荧光发光的OLED显示装置的发光效率低，发光性能差。

因此，亟需提供一种新型的OLED显示装置，以解决上述问题。

发明内容

本申请的实施例采用如下技术方案：

一方面，本申请的实施例提供了一种发光层，至少包括：

第一热激活延迟荧光材料，所述第一热激活延迟荧光材料的反系间窜越速率kRISC满足：kRISC＞1.0×10⁴s^-1；所述第一热激活延迟荧光材料处于纯膜状态的情况下的光致发光量子产率PLQY满足：PLQY≥50％；所述第一热激活延迟荧光材料的水平偶极子比θ//满足：θ//＞67％。

可选地，所述第一热激活延迟荧光材料的单重态能级与所述第一热激活延迟荧光材料的三重态能级之间的能级差△EST1满足：△EST1≤0.15eV。

可选地，所述第一热激活延迟荧光材料的结构通式为：

其中，R1-R3各自独立地为氢、氘、氟、氯、溴、碘、CN、Si(R6)₃、直链烷基、烷氧基、具有1-40个碳的硫代烷基、具有3-40个碳的支链、具有3-40个碳的环状烷基、具有3-40个碳的烷氧基、具有3-40个碳的硫代烷基、具有6-60个碳的芳族环、具有6-60个碳的杂芳族环、具有5-60个芳环的芳氧基、具有5-60个芳环的杂芳氧基、具有5-60个芳环的芳烷基、具有5-60个芳环的杂芳烷基中的任一种；R1-R3各自独立地能够被一个或多个R4取代，其中，R4为氢、具有1-22个碳的直链烷基、具有1-22个碳的烷氧基链、具有3-22个碳的支链、具有3-22个碳的环状烷基、具有3-22个碳的烷氧基链中的任一种；R4中一个或多个不相邻的碳能够被氧、硫、SO、SO₂、CO、O-CO-O、CO-O、-CH＝CH-、-C≡C中的任一种取代；R4中一个或多个氢能够被氟、氯、溴、碘、CN、具有5-40个碳的芳基、具有5-40个碳的杂芳基、具有5-40个碳的芳氧基、具有5-40个碳的杂芳氧基、非芳族中的任一种取代；R1-R3各自独立地一个或多个不相邻的CH₂能够被Si(R6)₂、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO₂、NR6、氧、硫、CONR6中的任一种取代；R1-R3各自独立地一个或多个氢能够被氘、氟、氯、溴、碘中的任一种取代；