[发明专利]一种包覆型LiSi-C材料、极片和电池

权利要求书

1.一种包覆型LiSi-C材料，其特征在于，所述包覆型LiSi-C材料具有核壳结构，其中，所述包覆型LiSi-C材料的核为LiSi-C颗粒，所述包覆型LiSi-C材料的壳为含氧包覆层，所述LiSi-C颗粒具有LiSi相与C相均匀掺杂的连续相结构；所述LiSi-C颗粒的X射线衍射图中存在特征峰，所述特征峰在2θ归属于23°-24°范围内和在2θ归属于41°-42°范围内。

2.根据权利要求1所述的包覆型LiSi-C材料，其中，所述LiSi-C颗粒的X射线衍射图中在2θ归属于23°-24°范围内的特征峰的最大强度为I₁，在归属于41°-42°范围内的特征峰的最大强度为I₂，则I₁＞I₂。

3.根据权利要求1所述的包覆型LiSi-C材料，其中，所述LiSi-C颗粒的内部，在距离所述LiSi-C颗粒表面100nm的区域中，任意两点A、B位置的C元素的质量占比C_A和C_B满足：|C_A-C_B|≤15％；和/或，

所述LiSi-C颗粒的SEM截面图，在50K放大倍率下颗粒内部为均质结构。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的包覆型LiSi-C材料，其中，所述LiSi-C颗粒中C相的孔隙率为0.4～1.1cc/g；和/或，

以所述LiSi-C颗粒的总重量为基准，所述LiSi-C颗粒中C元素的含量为30～70wt％，Li元素的含量为0.2～5wt％，Si元素的含量为29.8～65wt％。

5.根据权利要求1所述的包覆型LiSi-C材料，其中，在所述包覆型LiSi-C材料的含氧包覆层表面深度＜10nm处，O元素的含量为O₁％，深度＞100nm处，O元素的含量为O₂％，则O₁％≥35％且O₁％-O₂％≥20％，优选地，O₁％为40％-60％且O₁％-O₂％≥25％。

6.一种制备权利要求1-5中任意一项所述的包覆型LiSi-C材料的方法，其特征在于，对LiSi-C颗粒进行含氧包覆改性处理；所述LiSi-C颗粒具有LiSi相与C相均匀掺杂的连续相结构；所述LiSi-C颗粒的X射线衍射图中存在特征峰，所述特征峰在2θ归属于23°-24°范围内和在2θ归属于41°-42°范围内。

7.一种极片，其特征在于，所述极片包括负极集流体和涂覆在所述负极集流体至少一侧表面的负极活性材料，所述负极活性材料包括石墨，以及权利要求1-5中任意一项所述的包覆型LiSi-C材料和/或权利要求6所述的方法制备得到的包覆型LiSi-C材料。

8.根据权利要求7所述的极片，其中，以所述包覆型LiSi-C材料和所述石墨的总重量为基准，所述包覆型LiSi-C材料的含量为1～55wt％，所述石墨的含量为45～99wt％。

9.根据权利要求7所述的极片，其中，所述包覆型LiSi-C材料为颗粒状，且中值粒径D₅₀为5μm～15μm；和/或，

所述包覆型LiSi-C材料具有多孔结构，且比表面积为1～5m²/g。

10.一种电池，其特征在于，所述电池包括权利要求7-9中任意一项所述的极片。