[发明专利]MCU芯片及其工作模式的切换方法

权利要求书

1.一种MCU芯片，其特征在于，包括：第一LDO电路、第二LDO电路和切换电路，所述第一LDO电路和第二LDO电路用于给MCU芯片内部供电，切换电路用于在所述第一LDO电路和第二LDO电路之间进行切换，以使得MCU芯片工作于不同模式；所述切换电路包括：

复制可控电路，用于复制第一LDO电路的输出电流而输出第一复制电流；以及

复制电路，与复制可控电路相连，用于复制第一复制电流而输出第二复制电流至第二LDO电路，所述第二LDO电路基于第二复制电流建立内部环路；

所述复制可控电路用于在第二LDO电路建立内部环路后，切断切换电路与第一LDO电路和第二LDO电路之间的电流的流通，所述MCU芯片的工作模式从第一LDO电路供电的模式切换为所述第二LDO电路供电的模式。

2.如权利要求1所述的MCU芯片，其特征在于，所述复制可控电路包括开关单元和复制电流单元，所述开关单元与第一LDO电路相连，所述复制电流单元与开关单元以及复制电路相连，在所述开关单元和复制电流单元均开启时，所述复制电流单元复制第一LDO电路的输出电流而输出第一复制电流。

3.如权利要求2所述的MCU芯片，其特征在于，所述开关单元包括第一开关，所述第一开关的第一端与第一LDO电路的输出功率管的栅极相连，所述第一开关的第二端与复制电流单元相连。

4.如权利要求2所述的MCU芯片，其特征在于，所述复制电流单元包括第二开关和第二MOS管；所述第二MOS管的栅极与第二开关的第二端以及开关单元相连，所述第二MOS管的源极与第二开关的第一端以及电源电压相连，所述第二MOS管的漏极与复制电路相连。

5.如权利要求1所述的MCU芯片，其特征在于，所述MCU芯片还包括延时控制电路，所述延时控制电路用于延时关断第一LDO电路的输出功率管。

6.如权利要求5所述的MCU芯片，其特征在于，所示延时控制电路包括延时单元、反相器和第八MOS管，所述延时单元与反相器的输入端相连，所述反相器的输出端与第八MOS管的栅极相连，所述第八MOS管的漏极与第一LDO电路的输出功率管的栅极相连，所述第八MOS管的源极与电源电压相连。

7.如权利要求1所述的MCU芯片，其特征在于，所述复制电路包括第三MOS管和第四MOS管，所述第三MOS管的栅极和漏极相连且与复制可控电路相连，所述第三MOS管的源极和第四MOS管的源极与地电压相连，所述第四MOS管的漏极与第二LDO电路的输出端相连。

8.如权利要求1所述的MCU芯片，其特征在于，所述MCU芯片还包括选择电路，所述选择电路用于在第二LDO电路与切换电路之间的电流被切断后，连通第二LDO电路的输出端和MCU芯片内部的负载。

9.如权利要求8所述的MCU芯片，其特征在于，所述MCU芯片还包括电流比较电路，所述电流比较电路用于对第一LDO电路的输出电流和参考电流进行比较并根据比较结果控制选择电路。

10.如权利要求9所述的MCU芯片，其特征在于，所述电流比较电路包括第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管，所述第五MOS管的栅极与第一LDO电路的输出功率管的栅极相连，所述第五MOS管的源极与电源电压相连，所述第五MOS管的漏极和第六MOS管的漏极相连且与选择电路相连，所述第六MOS管的栅极和第七MOS管的栅极相连，所述第七MOS管的栅极和漏极相连，所述第七MOS管的源极和第六MOS管的源极与地电压相连，所述第七MOS管的漏极用于接收参考电流。