[发明专利]改进的镍铬铝薄膜电阻器

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

薄膜电阻器主体，其包括在电介质层上方的镍铬铝NiCrAl；

在所述薄膜电阻器主体上的界面层；以及

所述界面层上的电阻器头，所述电阻器头包括钛钨TiW。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述界面层包括钛Ti。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述界面层包括氮化钛TiN。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述界面层包括氮化钛层和钛层。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述界面层包括所述NiCrAl的氮化表面。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述界面层具有在约3-100埃的范围内的厚度。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述薄膜电阻器主体在层间电介质上方。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述薄膜电阻器主体具有约为151111℃或更低的温度系数。

9.一种制造具有薄膜电阻器的集成电路的方法，包括：

在电介质层上形成薄膜层，所述薄膜层包括镍铬铝；

直接在所述薄膜层上形成界面层；

在所述界面层上形成电阻器头层，所述电阻器头层包括钛钨；

图案化并蚀刻所述电阻器头层以形成用于所述薄膜层的电阻器硬掩模；以及

使用所述电阻器硬掩模和湿法蚀刻来蚀刻所述薄膜层以形成薄膜电阻器主体。

10.根据权利要求9所述的方法，其中形成所述界面层包括在所述薄膜层上形成钛层。

11.根据权利要求9所述的方法，其中形成所述界面层包括在所述薄膜层上形成氮化钛层。

12.根据权利要求9所述的方法，其中形成所述界面层包括向所述薄膜层的表面施加含氮等离子体的步骤。

13.根据权利要求9所述的方法，包括：

在所述电阻器头层上方沉积并图案化电阻器头硬掩模；以及

使用所述电阻器头硬掩模和干法蚀刻工艺来蚀刻所述电阻器头层并在所述薄膜电阻器的端部处形成电阻器头。

14.根据权利要求9所述的方法，其中蚀刻所述薄膜层使用高氯酸和硝酸铈铵的水溶液。

15.根据权利要求9所述的方法，其中所述电介质层是层间电介质。

16.根据权利要求13所述的方法，包括：

在所述薄膜电阻器和所述电阻器头上方形成附加电介质层；以及

穿过所述附加电介质层形成并填充通孔以接触所述电阻器头。

17.一种薄膜电阻器结构，包括：

薄膜电阻器主体，其包括在氧化物层上方形成的镍铬铝NiCrAl，所述薄膜电阻器主体具有小于或等于约0.1μ1的厚度；

氮化钛TiN层，其形成在所述薄膜电阻器主体上方；以及

电阻器头，其包括形成在所述TiN层上的钛钨TiW。

18.根据权利要求17所述的薄膜电阻器，其中所述薄膜电阻器结构具有约为151111℃或更低的温度系数。

19.根据权利要求17所述的薄膜电阻器，其中所述TiN层直接形成在所述薄膜电阻器主体上。

20.根据权利要求19所述的薄膜电阻器，包括直接形成在所述TiN层上的钛Ti层，所述TiW层直接形成在所述Ti层上。

21.根据权利要求17所述的薄膜电阻器，包括直接形成在所述薄膜电阻器主体上的钛Ti层，所述TiN层直接形成在所述Ti层上。