[发明专利]一种具有N-top区的SiC MOSFET结构在审
| 申请号： | 202211453934.1 | 申请日： | 2022-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN115799304A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 伍伟;高崇兵;喻明康 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 top sic mosfet 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有N-top区的SiC MOSFET结构，其元胞结构包括金属漏极(1)，位于金属漏极(1)上方的N+衬底(2)和N型漂移区(3)，所述漂移区(3)中设有多晶硅栅极(8)及栅氧化层(9)、金属源极(7)、P型基区(4)，所述P型基区(4)上设有P+体区(5)和N+源区(6)，所述栅氧化层(9)下方设有N-top区(10)。
2.根据权利要求1所述的具有N-top区的SiC MOSFET结构，其特征在于，N-top区(10)位于栅氧化层下方中心处。
3.根据权利要求1所述的具有N-top区的SiC MOSFET结构，其特征在于，N-top区(10)的典型掺杂浓度为1×1015cm-3。
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