[发明专利]量子比特处理方法、量子电路及量子计算机

权利要求书

1.一种量子比特处理方法，其特征在于，包括：

控制量子比特的高激发能级与目标谐振腔产生共振，其中，所述高激发能级为大于或等于第二激发能级的能级；

在所述量子比特的所述高激发能级与所述目标谐振腔处于持续共振的过程中，向所述量子比特施加微波，控制所述量子比特的第一激发能级向所述目标谐振腔的耗散能级进行绝热演化，对所述量子比特进行进行初始化。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制所述量子比特的高激发能级与目标谐振腔产生共振，包括：

获取所述量子比特的高激发能级的频率与施加在所述量子比特上的磁通之间的第一关系；

获取所述目标谐振腔的第一目标频率；

基于所述第一关系，以及所述第一目标频率，通过调节施加在所述量子比特上的磁通，控制所述量子比特的高激发能级与所述目标谐振腔产生共振。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制量子比特的高激发能级与目标谐振腔产生共振，包括：

获取所述目标谐振腔的频率与施加在所述目标谐振腔上的磁通之间的第二关系；

获取所述量子比特的高激发能级的第二目标频率；

基于所述第二关系，以及所述第二目标频率，通过调节施加在所述目标谐振腔上的磁通，控制所述量子比特的高激发能级与所述目标谐振腔产生共振。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制量子比特的高激发能级与目标谐振腔产生共振，包括：

通过调节施加在所述量子比特上的磁通或者施加在所述目标谐振腔上的磁通，控制所述量子比特的高激发能级与所述目标谐振腔绝热地到达共振点。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述量子比特的所述高激发能级与所述目标谐振腔处于持续共振的过程中，向所述量子比特施加微波，控制所述量子比特的第一激发能级向所述目标谐振腔的耗散能级进行绝热演化，包括：

确定目标微波，其中，所述目标微波的微波强度在预定时间段内随时间增加；

在所述量子比特的所述高激发能级与所述目标谐振腔处于持续共振的过程中，向所述量子比特施加所述目标微波，控制所述量子比特的第一激发能级向所述目标谐振腔的耗散能级进行绝热演化。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述确定目标微波，包括：

确定连续包括第一微波段，第二微波段，第三微波段以及第四微波段的微波组合为所述目标微波，其中，所述第一微波段的微波强度随时间增加的增加率为第一增加率，所述第二微波段的微波强度随时间增加的增加率为第二增加率，所述第一增加率大于所述第二增加率。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二增加率趋近于零，所述第三微波段的微波强度随时间减小，所述第四微波段为无微波阶段。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标谐振腔为与所述量子比特耦合的读取谐振腔，所述读取谐振腔用于读取所述量子比特的量子态。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，所述量子比特为Fluxonium量子比特。

10.一种量子电路，其特征在于，包括：目标谐振腔和量子比特，其中，所述量子比特通过所述目标谐振腔与读取线路耦合，所述目标谐振腔与所述量子比特耦合，其中，所述量子比特为初始化后的量子比特，所述量子比特的初始化通过以下方式得到：控制量子比特的高激发能级与目标谐振腔产生共振，其中，所述高激发能级为大于或等于第二激发能级的能级,以及在所述量子比特的所述高激发能级与所述目标谐振腔处于持续共振的过程中，向所述量子比特施加微波，控制所述量子比特的第一激发能级向所述目标谐振腔的耗散能级进行绝热演化，对所述量子比特进行初始化。

11.一种量子芯片，其特征在于，包括：权利要求10所述的量子电路。