[发明专利]一种基于补偿掺杂的全硅光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于补偿掺杂的全硅光电探测器，其特征在于，包括补偿掺杂的吸收区、收集电流的P++和N++重掺杂区，所述吸收区具有本征半导体性质。

2.根据权利要求1所述的基于补偿掺杂的全硅光电探测器，其特征在于，所述吸收区由狭缝波导构成。

3.根据权利要求1所述的基于补偿掺杂的全硅光电探测器，其特征在于，所述吸收区中P型掺杂和N型掺杂的离子浓度差异不超过10¹⁸cm^-3。

4.一种基于补偿掺杂的全硅光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：

在基底上生长一层本征硅；

在本征硅上刻蚀吸收区以及位于所述吸收区两侧的重掺杂区；

在所述吸收区依次注入P型掺杂和N型掺杂的离子，或者依次注入N型掺杂和P型掺杂的离子，形成具有本征半导体性质的吸收区；在两侧的重掺杂区分别注入P++型掺杂和N++型掺杂的离子，形成与电极接触的P++和N++重掺杂区。

5.根据权利要求4所述的基于补偿掺杂的全硅光电探测器的制备方法，其特征在于，刻蚀的吸收区的结构类型为狭缝波导。

6.根据权利要求4所述的基于补偿掺杂的全硅光电探测器的制备方法，其特征在于，所述吸收区中P型掺杂和N型掺杂的离子浓度差异不超过10¹⁸cm^-3；P++型掺杂和N++型掺杂的离子浓度的量级为10²⁰cm^-3。

7.一种用于波分复用系统中的光监视器，其特征在于，包括：传输波导、热调微环、输出波导以及如权利要求1至3任一项所述的基于补偿掺杂的全硅光电探测器；

其中，信号光由所述传输波导输入，当经过所述热调微环时，与所述热调微环谐振波长匹配的波长信道的光将部分耦合进所述热调微环内，再通过所述输出波导下载，最终由所述全硅光电探测器吸收探测。