[发明专利]光电混合封装结构的制作方法和保护结构件

权利要求书

1.一种光电混合封装结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：

提供一载板和一光芯片，所述光芯片一侧面设置有至少一光接口，将所述光芯片具有所述光接口的一侧面背离所述载板设置于所述载板上表面；

提供至少一电芯片，将所述电芯片设置于所述光芯片上表面，并与所述光芯片实现电性连接；

提供至少一保护结构件，所述保护结构件为盖状结构，所述盖状结构内部形成有一腔体，所述保护结构件的表面还形成有至少一通孔，所述通孔连通所述保护结构件内外表面，将所述保护结构件对应所述光接口贴装于所述光芯片上表面，使得所述光接口完全位于所述腔体内；

对所述腔体内环境进行降压处理，并于所述保护结构件外表面至少部分区域压覆薄膜层，使得所述腔体为低压密封腔体；

提供塑封料，将所述塑封料覆盖所述薄膜层上表面、所述电芯片上表面和侧表面、所述保护结构件未被遮蔽的上表面和侧表面、以及所述光芯片未被遮蔽的上表面，形成塑封体。

2.根据权利要求1所述的光电混合封装结构的制作方法，其特征在于，对所述腔体内环境进行降压处理，具体包括：

提供一真空压膜设备，所述真空压膜设备包括真空装置和压膜装置，将封装好的所述载板、光芯片、电芯片以及保护结构件放置于所述真空压膜设备内；

开启真空装置，设置目标真空度，对所述腔体外环境进行降压处理，直至所述腔体内气压达到所述目标真空度。

3.根据权利要求2所述的光电混合封装结构的制作方法，其特征在于，所述于所述保护结构件外表面至少部分区域压覆薄膜层，使得所述腔体为低压密封腔体，具体包括：

开启压膜装置，于所述光芯片上方覆盖一层薄膜层，并使得所述薄膜层贴紧所述保护结构件和所述电芯片的上表面和侧表面、以及所述光芯片未被遮蔽的上表面；

所述光芯片上表面与所述保护结构件腔体内侧面和所述薄膜层下表面之间形成一低压密封腔体。

4.根据权利要求3所述的光电混合封装结构的制作方法，其特征在于，所述于所述光芯片上方覆盖一层薄膜层，具体包括：

于所述光芯片上方覆盖一层15～30μm的薄膜层，所述薄膜层为空腔器件专用膜。

5.根据权利要求4所述的光电混合封装结构的制作方法，其特征在于，所述形成塑封体，具体包括：

将所述塑封料覆盖于所述薄膜层上表面，形成所述塑封体，使得所述塑封体上表面处于同一高度。

6.根据权利要求1所述的光电混合封装结构的制作方法，其特征在于，所述提供至少一电芯片，将所述电芯片设置于所述光芯片上表面，并与所述光芯片实现电性连接，具体包括：

所述光芯片内形成有多个硅通孔，将所述电芯片的功能面朝向所述光芯片上表面设置，通过所述硅通孔实现所述电芯片与光芯片之间的电性连接。

7.根据权利要求6所述的光电混合封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法还包括步骤：

将所述光芯片与所述载板解键合；

于所述光芯片未贴装所述电芯片的一侧面形成重布线层，并通过所述硅通孔实现所述光芯片与所述重布线层之间的电性连接。

8.根据权利要求1所述的光电混合封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法还包括步骤：

减薄所述塑封体，直至暴露出所述结构保护件的顶壁；

减薄所述结构保护件的顶壁，直至完全暴露出所述光接口。

9.一种保护结构件，其特征在于，所述保护结构件用于如权利要求1～8中任意一项所述的光电混合封装结构的制作方法中，所述保护结构件为一盖状结构，所述盖状结构内部设置一腔体，所述保护结构件的表面还设置至少一通孔，所述通孔连通所述保护结构件内外表面；当所述保护结构件对应所述光接口贴装于所述光芯片上表面时，所述光接口完全位于所述腔体内。

10.根据权利要求9所述的保护结构件，其特征在于，所述保护结构件的表面设置有多个通孔，所述通孔横截面为圆形。