[发明专利]横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路

说明书

本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：硅衬底；阱区；第一氧化隔离层和第二氧化隔离层，形成于阱区的两侧；第一漏极重掺杂区和第二漏极重掺杂区均为具有至少一个坡面的凸台状梯形体结构，第一漏极重掺杂区形成于部分第一氧化隔离层上，第二漏极重掺杂区形成于部分第二氧化隔离层上；第一漏极重掺杂区与第一漏极金属电极构成第一漏极，第二漏极重掺杂区与第二漏极金属电极构成第二漏极；体区、漂移区、第一场板、栅极、源极，形成于阱区。通过本发明提供的晶体管，能够改善自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件的性能和可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种横向双扩散场效应晶体管制作方法、一种横向双扩散场效应晶体管、一种芯片和一种电路。

背景技术

横向双扩散场效应晶体管（Lateral Double-Diffused MOSFET，LDMOS）作为一种横向功率器件，其电极均位于器件表面，易于通过内部连接实现与低压信号电路以及其它器件的单片集成，同时又具有耐压高、增益大、线性度好、效率高、宽带匹配性能好等优点，如今已被广泛应用于功率集成电路中，尤其是低功耗和高频电路。

现有技术中，横向双扩散场效应晶体管的工作电压和电流都较大，在导通时，大电流通过漂移区时，都是沿着漂移区的表面流通，这样容易引起横向双扩散场效应晶体管的负阻效应。且漏极做的比较浅，漏极与漂移区界面处电场比较强，再加上大电流，引起很强的热电子效应，降低了器件的可靠性。

发明内容

针对现有技术中容易引起横向双扩散场效应晶体管的负阻效应，且热电子效应强，器件可靠性低的技术问题，本发明提供了一种横向双扩散场效应晶体管制作方法、一种横向双扩散场效应晶体管、一种芯片和一种电路，采用该方法制备出的横向双扩散场效应晶体管能够减轻漂移区表面电子的聚集，改善自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件性能和可靠性。

为实现上述目的，本发明一方面提供一种横向双扩散场效应晶体管，包括：硅衬底，具有第一导电类型；阱区，形成于所述硅衬底上，具有与第一导电类型不同的第二导电类型；氧化隔离层，包括第一氧化隔离层和第二氧化隔离层，分别形成于所述阱区的两侧；漏极重掺杂区，包括第一漏极重掺杂区和第二漏极重掺杂区，具有第二导电类型，所述第一漏极重掺杂区和所述第二漏极重掺杂区均为具有至少一个坡面的凸台状梯形体结构，所述第一漏极重掺杂区形成于部分第一氧化隔离层上，所述第二漏极重掺杂区形成于部分第二氧化隔离层上；漏极金属电极，包括第一漏极金属电极和第二漏极金属电极，所述第一漏极金属电极形成于部分第一氧化隔离层上与所述第一漏极重掺杂区相邻，所述第二漏极金属电极形成于部分第二氧化隔离层上与所述第二漏极重掺杂区相邻，所述第一漏极重掺杂区与所述第一漏极金属电极构成第一漏极，所述第二漏极重掺杂区与所述第二漏极金属电极构成第二漏极；体区、漂移区、第一场板、栅极、源极，均形成于所述阱区，所述漂移区包括第一漂移区和第二漂移区，所述第一漂移区紧贴所述第一漏极重掺杂区的坡面，所述第二漂移区紧贴所述第二漏极重掺杂区的坡面，源极包括形成于所述体区的源极重掺杂区，以及形成于所述源极重掺杂区上的源极金属电极。

进一步地，所述横向双扩散场效应晶体管还包括：层间电介质层，包括第一层间电介质层和第二层间电介质层，所述第一层间电介质层形成于所述第一漏极金属电极与所述源极金属电极之间，所述第一漏极金属电极横向延伸并覆盖部分第一层间电介质层，所述第二层间电介质层形成于所述第二漏极金属电极与所述源极金属电极之间，所述第二漏极金属电极横向延伸并覆盖部分第二层间电介质层，横向延伸出的第一漏极金属电极与被覆盖的第一层间电介质层以及横向延伸出的第二漏极金属电极与被覆盖的第二层间电介质层构成第二场板。

进一步地，所述漏极重掺杂区的厚度介于4-10um。

进一步地，所述漂移区与所述漏极重掺杂区的厚度比介于1/3-1/2。

进一步地，所述漏极重掺杂区的坡面与氧化隔离层的上表面的夹角介于45°-60°。