[发明专利]具有MAX或MX导电材料的集成电路

权利要求书

1.一种集成电路(IC)装置，包括：

包括栅极和沟道的晶体管；以及

耦合至所述沟道的源极或漏极(S/D)接触部，所述S/D接触部包括材料构成的多个层，所述材料的层包括碳和氮中的至少一者以及过渡金属。

2.根据权利要求1所述的IC装置，其中，所述材料中的所述过渡金属包括周期表的3族到6族中的材料。

3.根据权利要求1所述的IC装置，还包括形成于所述多个层中的两个层之间的第二层，所述第二层包括主族元素。

4.根据权利要求3所述的IC装置，其中，所述主族元素处于周期表的13族和14族之一中。

5.根据权利要求1所述的IC装置，其中，所述沟道包括过渡金属二硫族化物(TMD)。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的IC装置，其中，所述沟道包括形成于支撑结构之上的至少一个纳米带，其中，所述纳米带在基本上平行于所述支撑结构的方向上延伸。

7.根据权利要求6所述的IC装置，其中，所述材料的层在基本上平行于所述纳米带的方向上延伸。

8.根据权利要求6所述的IC装置，其中，所述纳米带是第一纳米带，所述沟道还包括堆叠在所述第一纳米带之上的第二纳米带，并且所述材料的至少一个层位于所述第一纳米带和所述第二纳米带之间。

9.根据权利要求1-5中任一项所述的IC装置，其中，所述沟道形成于支撑结构之上，并且所述S/D接触部形成于所述支撑结构和所述沟道之间。

10.根据权利要求9所述的IC装置，其中，所述晶体管位于支撑结构之上，并且所述沟道在基本上平行于所述支撑结构的一个方向上延伸，并且在基本上垂直于所述支撑结构的第二方向上，所述沟道形成鳍状物。

11.根据权利要求1-5中任一项所述的IC装置，其中，所述S/D接触部包括第一区域和第二区域，所述第一区域位于所述沟道和所述第二区域之间，其中，所述第一区域包括所述材料的所述多个层并且所述第二区域包括金属。

12.根据权利要求1-5中任一项所述的IC装置，其中，所述S/D接触部包括第一区域和第二区域，所述第一区域位于所述沟道和第二区域之间，其中，所述第一区域包括金属，并且所述第二区域包括所述材料的所述多个层。

13.一种集成电路(IC)装置，包括：

包括栅极和沟道的晶体管；

耦合至所述沟道的源极或漏极(S/D)接触部；以及

耦合至所述S/D接触部的互连区域，所述互连区域包括材料构成的多个层，所述材料的层包括碳和氮中的至少一者以及过渡金属。

14.根据权利要求13所述的IC装置，其中，所述材料中的所述过渡金属包括周期表的3族到6族中的材料。

15.根据权利要求13-14中任一项所述的IC装置，其中，所述互连区域在基本上平行于支撑结构的方向上延伸，并且所述多个层是在基本上平行于所述支撑结构的所述方向上布置的。

16.根据权利要求13-14中任一项所述的IC装置，其中，所述互连区域在基本上垂直于支撑结构的方向上延伸，并且所述多个层是在基本上垂直于所述支撑结构的所述方向上布置的。

17.根据权利要求16所述的IC装置，其中，所述互连区域是第一互连区域，所述IC装置还包括第二互连区域，其中，所述第二互连区域在基本上平行于所述支撑结构的方向上延伸，并且所述多个层是在基本上平行于所述支撑结构的所述方向上布置的。