[发明专利]一种半导体结构的制备方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

在第一硅衬底上沉积由二氧化硅和氮化硅交替层叠形成的叠层；

从上至下刻蚀所述叠层，以在所述叠层内形成线条沟槽图案；所述线条沟槽图案中包含有多个线条沟槽，每个线条沟槽均贯穿所述叠层的上表面和下表面；

在所述线条沟槽图案中填充锗硅材料，并在所述叠层的上方形成第一锗硅层；

在所述第一锗硅层上方形成二氧化硅层或氮化硅层；

对所述第一硅衬底、叠层、第一锗硅层及二氧化硅层或氮化硅层进行退火处理，以使所述第一锗硅层内部产生拉应力；

去除位于所述第一锗硅层上方的二氧化硅层或氮化硅层。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在第一硅衬底上沉积由二氧化硅和氮化硅交替层叠形成的叠层之前，所述制备方法还包括：

在所述第一硅衬底上生长第二锗硅层，所述由二氧化硅和氮化硅交替层叠形成的叠层沉淀在所述第二锗硅层的上方；

且在对所述第一硅衬底、叠层、第一锗硅层及二氧化硅层或氮化硅层进行退火处理的同时，还对所述第二锗硅层进行退火处理，以使所述第二锗硅层内部产生拉应力。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述第一硅衬底、叠层、第一锗硅层及二氧化硅层或氮化硅层进行退火处理，包括：

在300℃～850℃的退火环境下，对所述第一硅衬底、叠层、第一锗硅层及二氧化硅层或氮化硅层保持退火1min～3h后，完成对所述第一硅衬底、叠层、第一锗硅层及二氧化硅层或氮化硅层的退火处理。

4.如权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，还包括：

在第二硅衬底上沉积电介质层；

在去除位于所述第一锗硅层上方的二氧化硅层或氮化硅层之后，将所述第一硅衬底上的所述第一锗硅层键合在所述第二硅衬底的电介质层上；

去除所述第一硅衬底、以及所述第一硅衬底与所述第一锗硅层之间的材料，并减薄所述第一锗硅层至设定厚度。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一锗硅层的材料为Ge_xSi_1-x，其中，0≤x≤1。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述叠层上方的所述第一锗硅层的厚度在小于阈值厚度时，所述第一锗硅层中的x为固定值；

在所述叠层上方的所述第一锗硅层的厚度在不小于阈值厚度时，所述第一锗硅层中的x为渐变值；此时，x的取值从所述第一锗硅层与所述叠层的邻近位置取值为1开始，逐渐减小，并在所述第一锗硅层的上表面减至最小值min。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在x为固定值时，0.5≤x＜1；

在x为渐变值时，0.5≤min＜1。

8.如权利要求1～7任一项所述的制备方法，其特征在于，还包括：

在所述第一锗硅层上制备背栅场效应晶体管，其中，所述背栅场效应晶体管中的沟道为刻蚀所述第一锗硅层形成的拉应力锗硅沟道；或，

在所述第一锗硅层上制备鳍式场效应晶体管，其中，所述鳍式场效应晶体管中的沟道为刻蚀所述第一锗硅层形成的拉应力锗硅沟道；或，

在所述第一锗硅层上制备全环绕栅极晶体管，其中，所述全环绕栅极晶体管中的沟道为刻蚀所述第一锗硅层形成的拉应力锗硅沟道。