[发明专利]基于Pt/CeO2/OMC制备修饰电极的方法、电化学传感器

权利要求书

1.基于Pt/CeO2/OMC制备修饰电极的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、制备有序介孔碳，磨粉后分散到蒸馏水中，超声处理得到有序介孔碳悬浮液；

步骤2、在有序介孔碳悬浮液中加入CeO₂前驱体，并将该混合溶液调至碱性；

步骤3、制备Pt/CeO2/OMC三元纳米复合材料：

混合溶液静置后缓慢滴入六水合氯铂酸溶液，匀速搅拌后再静置；

离心分离得到Pt/CeO₂/OMC混合物，洗涤、干燥后在空气氛围下煅烧，得到稳定的Pt/CeO₂/OMC三元纳米复合材料；

步骤4、制备修饰玻碳电极：

将Pt/CeO₂/OMC三元纳米复合材料分散于全氟磺酸型聚合物溶液，超声后得到含有Pt/CeO₂/OMC的悬浊液，将悬浊液均匀滴涂到清洗干净的玻碳电极表面，干燥后制得修饰玻碳电极。

2.根据权利要求1所述的基于Pt/CeO2/OMC制备修饰电极的方法，其特征在于，所述步骤1中制备有序介孔碳，具体步骤如下：

a.将2.0g蔗糖溶于含有0.15mL硫酸的10mL溶液中，得到蔗糖混合溶液；

b.将2.0g有序介孔二氧化硅模板，浸入所述蔗糖混合溶液，使其彻底浸渍；

c.置入烘箱，先在100℃下加热6小时，再在160℃下加热6小时进行再聚合；

d.将步骤c得到的固体置于管式炉中，在氮气环境下碳化；

e.碳化后置入10%的HF溶液中隔夜溶解以蚀刻有序介孔二氧化硅模板，得到有序介孔碳。

3.根据权利要求2所述的基于Pt/CeO2/OMC制备修饰电极的方法，其特征在于，步骤b中，所述有序介孔二氧化硅模板的型号为SBA-15；浸渍条件为室温下真空，浸渍时间不少于3小时。

4.根据权利要求2所述的基于Pt/CeO2/OMC制备修饰电极的方法，其特征在于，步骤d中，设定管式炉温度为900℃，并在氮气环境下碳化3小时。

5.根据权利要求1所述的基于Pt/CeO2/OMC制备修饰电极的方法，其特征在于，所述步骤1中制作有序介孔碳悬浮液时，取40mg有序介孔碳粉末均匀分散于20mL蒸馏水，并超声10分钟。

6.根据权利要求1所述的基于Pt/CeO2/OMC制备修饰电极的方法，其特征在于，所述步骤3中混合溶液静置后缓慢滴入六水合氯铂酸溶液，匀速搅拌后再静置的步骤，具体如下：

待碱性的混合溶液在室温下静置6小时，取浓度为100mg/mL的所述六水合氯铂酸溶液40uL，缓慢滴入，在恒定速度下搅拌，最后再静置6小时。

7.根据权利要求1所述的基于Pt/CeO2/OMC制备修饰电极的方法，其特征在于，所述步骤3中的离心分离速度为9500转/分，分离得到的Pt/CeO₂/OMC混合物用蒸馏水洗涤3次。

8.根据权利要求1所述的基于Pt/CeO2/OMC制备修饰电极的方法，其特征在于，所述步骤3中煅烧过程在空气氛围下进行，采用管式炉，将煅烧温度设为280℃-320℃，煅烧时间不少于3小时。

9.根据权利要求1所述的基于Pt/CeO2/OMC制备修饰电极的方法，其特征在于，在所述步骤4中将悬浊液均匀滴涂到玻碳电极表面之前，先将玻碳电极用氧化铝悬浊液打磨抛光，再用硝酸和乙醇比为1：1的溶液超声清理玻碳电极的表面，得到清洗干净的玻碳电极。

10.一种电化学传感器，其特征在于，包括采用权利要求1-9任一项所述的基于Pt/CeO2/OMC制备修饰电极的方法制得的修饰玻碳电极。