[发明专利]一种提高RF LDMOS的性能及可靠性的方法

权利要求书

1.一种提高RF LDMOS的性能及可靠性的方法，其特征在于，至少包括：

步骤一、提供硅基底，在所述硅基底上形成第一氧化层；

步骤二、定义栅极位置和位于所述栅极位置一侧的源端区域，并去除所述源端区域的所述第一氧化层；

步骤三、形成栅氧层，所述栅氧层覆盖所述与源端区域的硅基底和所述第一氧化层；

步骤四、在所述栅氧层上形成栅极多晶硅层；之后刻蚀所述栅极多晶硅层，在所述栅极位置形成栅极多晶硅结构；

步骤五、在所述源端区域的所述硅基底内形成P型体区；在所述P型体区内形成P+区；在所述P+区与所述栅极多晶硅结构之间的P型体区内形成N+区；在所述栅极多晶硅结构远离所述P型体区一侧的硅基底上定义漏端区域，在所述漏端区域与所述栅极多晶硅之间的硅基底内形成NLDD区；

步骤六、形成第二氧化层，所述第二氧化层连续覆盖所述源端区域、栅极多晶硅结构以及所述栅极多晶硅结构远离所述源端区域的一侧；

步骤七、刻蚀去除所述漏端区域的所述第二氧化层以及第一氧化层形成凹槽，所述凹槽底部将所述硅基底暴露；

步骤八、在所述与源端区域、栅极多晶硅结构上以及栅极多晶硅结构远离所述源端区域的一侧覆盖多晶硅层，所述多晶硅层的厚度大于所述栅极多晶硅结构的厚度；

步骤九、刻蚀所述多晶硅层至露出所述栅极多晶硅结构顶部的第二氧化层为止；

步骤十、定义漏端多晶硅结构的形貌，刻蚀所述多晶硅层，形成覆盖所述漏端区域的所述凹槽的漏端多晶硅结构；

步骤十一、在所述源极多晶硅结构侧壁以及所述漏端多晶硅结构的侧壁分别形成侧墙；

之后在所述漏端区域的硅基底内形成漏端N+区；

步骤十二、对所述源端区域与所述漏端区域进行热处理；

步骤十三、在形成覆盖所述源端区域、栅极多晶硅结构顶部以及漏端多晶硅结构顶部的金属硅化物；

步骤十四、形成第三氧化层，所述第三氧化层连续覆盖所述源端区域、栅极多晶硅结构以及所述漏端多晶硅结构；

步骤十五、形成屏蔽罩，所述屏蔽罩起始于所述栅极多晶硅结构侧壁并延伸至所述漏端多晶硅结构与所述栅极多晶硅结构之间的所述第三氧化层。

2.根据权利要求1所述的提高RF LDMOS的性能及可靠性的方法，其特征在于：步骤二中利用光刻胶光刻定义所述栅极位置。

3.根据权利要求1所述的提高RF LDMOS的性能及可靠性的方法，其特征在于：步骤四中刻蚀所述栅极多晶硅层形成所述栅极多晶硅结构之后，所述栅极多晶硅结构以外的所述栅极多晶硅层均被去除。

4.根据权利要求1所述的提高RF LDMOS的性能及可靠性的方法，其特征在于：步骤五中的所述P型体区上表面、P+区上表面、NLDD区上表面以及N+区上表面均与所述硅基底上表面齐平；并且位于所述P型体区内的N+区与所述P+区相衔接；所述NLDD区在所述硅基底内的深度小于所述P型体区在所述硅基底内的深度；所述栅极多晶硅结构的一侧覆盖在所述P型体区一侧的上方。

5.根据权利要求1所述的提高RF LDMOS的性能及可靠性的方法，其特征在于：步骤七中所述凹槽的宽度小于所述漏端区域的宽度。

6.根据权利要求1所述的提高RF LDMOS的性能及可靠性的方法，其特征在于：步骤十中利用光刻胶通过光刻定义所述漏端多晶硅结构的形貌。

7.根据权利要求6所述的提高RF LDMOS的性能及可靠性的方法，其特征在于：步骤十中所述漏端多晶硅结构的宽度大于所述漏区区域的宽度。

8.根据权利要求1所述的提高RF LDMOS的性能及可靠性的方法，其特征在于：步骤十一中形成所述侧墙的方法为：先沉积一层氧化层，之后去除除所述栅极多晶硅结构侧壁和所述漏端多晶硅结构侧壁以外的所述氧化层，同时所述栅极多晶硅结构侧壁和所述漏端多晶硅结构侧壁以外的所述第二氧化层也被去除。

9.根据权利要求1所述的提高RF LDMOS的性能及可靠性的方法，其特征在于：该方法还包括步骤十六、形成覆盖所述源端区域、栅极多晶硅结构以及漏端多晶硅结构的介质层，之后在所述介质层内形成连通所述漏端多晶硅结构、所述源端区域上方的接触孔；接着在所述接触孔内填充金属；在所述介质层上覆盖金属层，最后刻蚀所述金属层形成与填充有金属的所述接触孔连接的金属线。