[发明专利]垂直增强型β-Ga2 在审
| 申请号： | 202211470105.4 | 申请日： | 2022-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN115763524A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 马永健;唐文博;张晓东;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/34 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 增强 ga base sub | ||
1.一种垂直增强型β-Ga2O3 UMOSFET器件，其特征在于包括：
β-Ga2O3漂移层，其具有背对设置的第一面和第二面，
载流子耗尽区，其形成在所述β-Ga2O3漂移层的第一面所在一侧的表层区域内；
高掺杂β-Ga2O3外延层，其形成在所述载流子耗尽区上，且所述高掺杂β-Ga2O3外延层的掺杂浓度高于所述β-Ga2O3漂移层；
槽状结构，其槽口设置在所述高掺杂β-Ga2O3外延层表面、槽底设于所述β-Ga2O3漂移层内；
介质层，其连续覆盖在所述高掺杂β-Ga2O3外延层表面及所述槽状结构的槽壁上；
栅极，其至少局部区域连续覆设在所述槽状结构的槽壁上，且所述栅极与所述槽状结构的槽壁被介质层隔离；
源极，其设置在高掺杂β-Ga2O3外延层上，并与所述高掺杂β-Ga2O3外延层形成欧姆接触；
漏极，其与所述β-Ga2O3漂移层的第二面电性结合。
2.根据权利要求1所述垂直增强型β-Ga2O3 UMOSFET器件，其特征在于：所述载流子耗尽区是由所述β-Ga2O3漂移层的第一面所在一侧的表层区域被注入补偿受主材料后转化形成的；
优选的，所述补偿受主材料包括N离子或Mg离子；
优选的，所述载流子耗尽区内补偿受主材料的浓度为1×1018cm-3～1×1019cm-3；
和/或，所述载流子耗尽区的厚度为300～600nm，所述β-Ga2O3漂移层的厚度为4-10μm。
3.根据权利要求1所述垂直增强型β-Ga2O3 UMOSFET器件，其特征在于：所述高掺杂β-Ga2O3外延层的掺杂浓度为1×1019cm-3～5×1019cm-3；
和/或，所述高掺杂β-Ga2O3外延层的厚度为100～300nm。
4.根据权利要求1所述垂直增强型β-Ga2O3 UMOSFET器件，其特征在于：所述槽状结构的深度为800～1000nm；
优选的，所述槽状结构为U形槽、V形槽或倒梯形槽。
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