[发明专利]铝线前照式CIS器件的制造方法及其器件在审
| 申请号： | 202211470323.8 | 申请日： | 2022-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN115799284A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 于明道;张栋;范晓;金立培 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭立 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铝线前照式 cis 器件 制造 方法 及其 | ||
1.一种铝线前照式CIS器件的制造方法,其特征在于，包括以下步骤：
S1，通过前段半导体集成电路工艺分别形成金属硅化物区域和非金属硅化物区域器件结构；
S2，生长氮化硅阻挡层，所述氮化硅阻挡层的张应力小于700Mpa；
S3，生长内电介质氧化层；
S4，通过内电介质氧化层化学机械研磨形成平面结构；
S5，通过后段半导体集成电路工艺，完成铝线前照式CIS器件制造。
2.如权利要求1所述的铝线前照式CIS器件的制造方法,其特征在于：
所述氮化硅阻挡层的张应力在600至700Mpa之间。
3.如权利要求2所述的铝线前照式CIS器件的制造方法,其特征在于：
所述氮化硅阻挡层的张应力为630Mpa。
4.如权利要求1所述的铝线前照式CIS器件的制造方法,其特征在于：
所述步骤S4中，内电介质氧化层由采用HDP工艺生长的氧化层和采用TEOS工艺生长的氧化层组成。
5.如权利要求4所述的铝线前照式CIS器件的制造方法,其特征在于：
在所述步骤S4中，先采用HDP工艺生长氧化层，然后采用TEOS工艺再生长氧化层。
6.如权利要求1所述的铝线前照式CIS器件的制造方法,其特征在于：
所述后段半导体集成电路工艺包括接触孔工艺以及后段金属连线工艺。
7.一种铝线前照式CIS器件，其特征在于：其由权利要求1至6任一项所述的铝线前照式CIS器件的制造方法制造。
8.如权利要求7所述的铝线前照式CIS器件，其特征在于：
所述铝线前照式CIS器件具有LTO层背封衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
