[发明专利]一种银铝浆搭接区域对PERC电池开压影响的测试方法和装置在审
申请号: | 202211470486.6 | 申请日: | 2022-11-23 |
公开(公告)号: | CN115763290A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 黄良辉;陈志明;刘家敬;黄耀浩 | 申请(专利权)人: | 广东南海启明光大科技有限公司;佛山市瑞纳新材科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R27/02;H01L31/0224 |
代理公司: | 上海微策知识产权代理事务所(普通合伙) 31333 | 代理人: | 肖烜 |
地址: | 528000 广东省佛山市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 银铝浆搭接 区域 perc 电池 影响 测试 方法 装置 | ||
本发明涉及光伏检测技术领域领域,更具体地,本发明涉及一种银铝浆搭接区域对PERC电池开压影响的测试方法和装置。银铝浆搭接区域对PERC电池开压影响的测试方法,包括:将银浆在无激光刻槽的PERC测试硅片进行印刷,烘干后,用同一块图形的网版印刷银浆,再印刷铝浆,再次烘干后,对印刷好的硅片进行烧结,然后对烧结后的电极用电阻测试仪进行测试,记录电阻仪示数即可。本发明测试方法简单,图案简单,能够精确测量出银浆铝浆搭接区域对电池开压的影响,能保证评定背银银浆性能数据的准确性的同时也能提高测试效率,受印刷因素和测试因素影响小,数据准确性高,且测试得到的数据方便处理,直观。
技术领域
本发明涉及光伏检测技术领域领域,更具体地,本发明涉及一种银铝浆搭接区域对PERC电池开压影响的测试方法和装置。
背景技术
在光伏产业中,银浆制作厂商会遇到银浆和铝浆的搭配性问题,也是各个电池片厂家重视的问题。银浆和铝浆的匹配性问题是银浆制作厂商非常重视的问题,也是其研发工作的重点,如何准确评价银浆的实用性、准确性、稳定性和可靠性,离不开必要的科学测试方法和工具。目前背面银浆除了关注自身的一些性质之外,更应该关注银浆与铝浆搭接后产生的影响,银浆和铝浆搭接区域由于混合后混合浆腐蚀性变强,导致搭接区域会腐蚀穿PREC电池背面的氮化硅钝化层和三氧化二铝钝化层,从而对电池的开压造成一定的影响,目前由于背银与铝浆搭配性问题带来的开压影响越来越明显,主要还是在银铝搭接区域。虽然电池厂能上1000片左右的硅片能精确比较不同类型的银浆开压影响,但是银浆厂商需要更为简单的测试方法来银浆在铝浆搭接区域对电池开压的影响。
发明内容
针对现有技术中存在的一些问题,本发明第一个方面提供了一种银铝浆搭接区域对PERC电池开压影响的测试方法,包括:将银浆在无激光刻槽的PERC测试硅片进行印刷,烘干后,用同一块图形的网版印刷铝浆,再次烘干后,对印刷好的硅片进行烧结,然后对烧结后的电极用电阻测试仪进行测试,记录电阻仪示数即可。
在本申请银铝浆搭接区域对PERC电池开压影响的测试方法中,电阻测试仪上的示数越大表示银铝浆搭接区对PERC电池开压影响越小。
在一种实施方式中,银浆和铝浆印刷的图案为轴对称结构,包括镜像的第一结构和第二结构。
优选的,所述第一结构和第二结构为水平T型结构,具体见图1。
优选的,第一结构和第二结构的长度为28-32mm,更优选为30mm;宽度为6-8mm,优选为7mm;水平T型结构角尾长度为18-22mm,更优选为20mm,宽度为6-8mm,更优选为7mm。
优选的,第一结构和第二结构的间距为3-5mm,更优选为4mm。
本申请特定的第一结构和第二结构的设置,使得印刷简单,图案所占位置小,能够在同一片测试硅片上多处印刷,并且银浆铝浆所用的图案一致。
在一种实施方式中,通过网版将银浆和铝浆印刷在PERC测试硅片上。
在一种实施方式中,烧结的条件为750-790℃。
本发明第二个方面提供了一种银铝浆搭接区域对PERC电池开压影响的测试装置,包括:无激光刻槽的PERC测试硅片1,以及印刷在PERC测试硅片表面的银铝浆模块2。
在一种实施方式中,所述银铝浆模块为上下重叠的银浆模块和铝浆模块,其中,银浆模块与PERC测试硅片接触。
在一种实施方式中,银浆模块和铝浆模块为轴对称结构,包括镜像的第一结构和第二结构。
优选的,所述第一结构和第二结构为水平T型结构,具体见图1。
优选的,第一结构和第二结构的长度为28-32mm,更优选为30mm;宽度为6-8mm,优选为7mm;水平T型结构角尾201长度为18-22mm,更优选为20mm,宽度为6-8mm,更优选为7mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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