[发明专利]具有用于有源管芯中的无金属缩减的街道中的基准的HBI管芯架构

权利要求书

1.一种管芯，包括：

衬底，其中，所述衬底包括半导体材料；

所述衬底之上的后端层，其中，所述后端层包括导电布线；

突起，从所述后端层和所述衬底的边缘延伸出；以及

所述突起的表面上的基准。

2.根据权利要求1所述的管芯，其中，没有穿过所述突起的厚度设置金属。

3.根据权利要求1或2所述的管芯，其中，所述突起在所述衬底的角落处。

4.根据权利要求1或2所述的管芯，还包括：

第二突起，从所述后端层和所述衬底的第二边缘延伸出。

5.根据权利要求4所述的管芯，其中，所述第二突起在所述衬底的与所述突起所在的所述衬底的角落相对的角落处。

6.根据权利要求1或2所述的管芯，其中，所述基准是十字。

7.根据权利要求1或2所述的管芯，其中，所述管芯还包括电介质层和穿过所述电介质层的多个导电焊盘。

8.根据权利要求7所述的管芯，其中，所述导电焊盘和所述电介质层适用于混合接合或焊料接合。

9.根据权利要求7所述的管芯，其中，所述导电焊盘具有大约20μm或更小的间距。

10.根据权利要求1或2所述的管芯，还包括：

所述衬底上的晶体管，其中，在所述基准的占用空间内没有设置晶体管。

11.一种电子封装，包括：

第一管芯；

从所述第一管芯延伸出的突起；

所述突起上的第一基准；

接合到所述第一管芯的第二管芯；以及

所述第二管芯上的第二基准，其中，所述第一基准至少部分地与所述第二基准重叠。

12.根据权利要求11所述的电子封装，其中，所述第一管芯通过混合接合架构接合到所述第二管芯。

13.根据权利要求11或12所述的电子封装，其中，所述第一管芯具有有源管芯区域，并且其中，所述基准在所述有源管芯区域的占用空间之外。

14.根据权利要求11或12所述的电子封装，其中，所述电子封装还包括：

从所述第一管芯延伸出的第二突起。

15.根据权利要求14所述的电子封装，其中，所述第二突起在所述第一管芯的与所述突起所在的角落相对的角落上。

16.根据权利要求11或12所述的电子封装，其中，所述第二基准在所述第二管芯的有源管芯区域内。

17.根据权利要求11或12所述的电子封装，其中，所述第一基准和所述第二基准是十字。

18.一种电子系统，包括：

板；

耦合到所述板的封装衬底；

所述封装衬底上的第一管芯；以及

耦合到所述第一管芯的第二管芯，其中，所述第二管芯包括：

从所述第二管芯的角落延伸出的突起；以及

所述突起上的基准，其中，所述基准在所述第二管芯的有源管芯区域的阴影之外。

19.根据权利要求18所述的电子系统，其中，在所述第二管芯中的所述基准之上没有金属。

20.根据权利要求18或19所述的电子系统，其中，所述第一管芯通过混合接合互连架构耦合到所述第二管芯。