[发明专利]具有绝缘区的半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括上表面和沟道；

第一介电层，所述第一介电层设置在所述半导体衬底的所述上表面上；

形成于所述半导体衬底上的第一载流电极和第二载流电极，其中所述第一载流电极和所述第二载流电极电耦合到所述沟道；

控制电极，所述控制电极形成于所述半导体衬底上并且设置在所述第一载流电极与所述第二载流电极之间，其中所述控制电极电耦合到所述沟道；

导电元件，所述导电元件形成于所述第一介电层上，邻近所述控制电极并且在所述控制电极与所述第二载流电极之间，其中第一导电元件另外包括形成为距所述半导体衬底的所述上表面第一距离的第一区和形成为距所述半导体衬底的所述上表面第二距离的第二区；以及

邻近控制电极形成的绝缘区，其中所述绝缘区包括横向邻近所述控制电极的第一侧壁部分形成的更接近所述第一载流电极的第一部分以及横向邻近所述控制电极的第二侧壁部分形成的更接近所述第二载流电极的第二部分，其中所述第一部分和所述第二部分形成于所述第一介电层上，并且其中所述第二部分形成于所述控制电极与所述导电元件之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导电元件的一部分形成于所述控制电极的一部分上方。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体衬底包括III族氮化物层。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一介电层包括氮化硅，并且所述第一部分和所述第二部分包括选自由二氧化硅和原硅酸四乙酯组成的组的材料。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，另外包括形成于所述第一介电层、所述控制电极上并且在所述控制电极与所述第一部分和所述第二部分之间的第一蚀刻停止层。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，另外包括形成于所述第一蚀刻停止层上以及所述第一部分和所述第二部分上的第二蚀刻停止层。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，另外包括形成于所述第二蚀刻停止层上以及所述控制电极上的第二介电层。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一载流电极被配置为源极电极，所述第二载流电极被配置为漏极电极，所述控制电极被配置为栅极电极，并且所述导电元件被配置为场板。

9.一种氮化镓场效应晶体管装置，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括氮化镓并且另外包括上表面和沟道；

第一介电层，所述第一介电层设置在所述半导体衬底的所述上表面上；

形成于所述半导体衬底上的源极电极和漏极电极，其中所述源极电极和所述漏极电极电耦合到所述沟道；

栅极电极，所述栅极电极形成于所述半导体衬底上并且设置在所述源极电极与所述漏极电极之间，其中所述栅极电极电耦合到所述沟道；

场板，所述场板形成于所述第一介电层上，邻近所述栅极电极并且在所述栅极电极与所述漏极电极之间，其中所述场板另外包括形成为距所述半导体衬底的所述上表面第一距离的形成第一金属-绝缘体半导体区的第一区以及形成为距所述半导体衬底的所述上表面第二距离的形成第二金属-绝缘半导体区的第二区；以及

邻近所述栅极电极形成的间隔区，其中所述间隔区包括横向邻近所述栅极电极的第一侧壁部分形成的更接近所述源极电极的第一部分以及横向邻近所述栅极电极的第二侧壁部分形成的更接近所述漏极电极的第二部分。

10.一种用于形成氮化镓场效应晶体管装置的方法，其特征在于，包括：

形成半导体衬底，所述半导体衬底包括氮化镓并且另外包括上表面和沟道；

在所述半导体衬底的所述上表面上形成第一介电层；

在所述半导体衬底上形成源极电极和漏极电极，其中所述源极电极和所述漏极电极电耦合到所述沟道；

在所述半导体衬底上并且在所述源极电极与所述漏极电极之间形成栅极电极，其中所述栅极电极电耦合到所述沟道；

在所述第一介电层上邻近所述栅极电极并且在所述栅极电极与所述漏极电极之间形成场板，其中形成所述场板另外包括：

形成平行于所述上表面并且距所述半导体衬底的所述上表面第一距离的第一区，其中第一金属-绝缘体半导体区形成于所述第一区中；以及

形成平行于所述上表面并且距所述半导体衬底的所述上表面第二距离的第二区，其中第二金属-绝缘半导体区形成于所述第二区中；以及

邻近所述栅极电极形成间隔区，其中形成所述间隔区包括横向邻近所述栅极电极的第一侧壁部分形成的更接近所述源极电极的第一部分以及横向邻近所述栅极电极的第二侧壁部分形成更接近所述漏极电极的第二部分。