[发明专利]一种基于光子光电子片上集成的超窄带光电探测器阵列在审
| 申请号： | 202211474278.3 | 申请日： | 2022-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN115835662A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 陈怡沐;宋清海;肖淑敏;李言浩;蒋雄 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学（深圳） |
| 主分类号： | H10K30/87 | 分类号： | H10K30/87;H10K39/32 |
| 代理公司： | 深圳市添源创鑫知识产权代理有限公司 44855 | 代理人： | 周椿 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 光子 光电子 集成 窄带 光电 探测器 阵列 | ||
1.一种基于光子光电子片上集成的超窄带光电探测器阵列，其特征在于，包括钙钛矿型光电探测器、衬底、电子束曝光胶，所述钙钛矿型光电探测器覆盖在衬底的部分区域，整个所述衬底上沉积一层电子束曝光胶，所述电子束曝光胶覆盖钙钛矿光电探测器和暴露的衬底区域，通过电子束在靠近钙钛矿型光电探测器边缘的衬底暴露区域中曝光生成光学光栅。
2.根据权利要求1所述基于光子光电子片上集成的超窄带光电探测器阵列，其特征在于，所述钙钛矿型光电探测器包括钙钛矿过滤层、空穴传输层、阳极金属层，所述钙钛矿过滤层设置在衬底上，所述空穴传输层设置在钙钛矿过滤层上，所述阳极金属层设置在空穴传输层上。
3.根据权利要求1所述基于光子光电子片上集成的超窄带光电探测器阵列，其特征在于，所述衬底包括电子传输层、阴极层，所述电子传输层设置在阴极层上，所述钙钛矿型光电探测器设置在电子传输层上。
4.根据权利要求3所述基于光子光电子片上集成的超窄带光电探测器阵列，其特征在于，所述电子传输层为二氧化锡涂层。
5.根据权利要求3所述基于光子光电子片上集成的超窄带光电探测器阵列，其特征在于，所述阴极层为掺锡氧化铟玻璃基板。
6.根据权利要求3所述基于光子光电子片上集成的超窄带光电探测器阵列，其特征在于，所述电子传输层的厚度范围为20-100nm，所述阴极层的厚度范围为20-100nm，所述电子曝光胶的厚度范围为120-600nm。
7.根据权利要求1所述基于光子光电子片上集成的超窄带光电探测器阵列，其特征在于，所述电子曝光胶为ZEP520A。
8.根据权利要求1所述基于光子光电子片上集成的超窄带光电探测器阵列，其特征在于，电子束曝光时，调整电子束不同波长的光共振以形成不同光栅周期和光栅条宽度的光学光栅。
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