[发明专利]靶材用锗圆管的加工方法

权利要求书

1.一种靶材用锗圆管的加工方法，包括步骤：

S1，提供锗晶棒(M1)，锗晶棒(M1)的长度大于成品靶材用锗圆管(F)的长度，锗晶棒(M1)的直径大于成品靶材用锗圆管(F)的外径；

S2，将锗晶棒(M1)切割成锗晶切段(M2)，锗晶切段(M2)的长度大于成品靶材用锗圆管(F)的长度；

S3，将锗晶切段(M2)的轴向的两端面进行铣面，以获得长度减小且两端面平行的锗晶铣段(M3)，锗晶铣段(M3)的长度大于成品靶材用锗圆管(F)的长度；

S4，将锗晶铣段(M3)的外周面进行滚磨加工，以获得直径减小的锗晶滚磨段(M4)，锗晶滚磨段(M4)的直径大于成品靶材用锗圆管(F)的外径；

S5，在锗晶滚磨段(M4)立着的状态下，将锗晶滚磨段(M4)的轴向的一个端面用粘接料固定，粘接料能够加热熔化且冷却凝固，在锗晶滚磨段(M4)的另一个端面上进行画圆操作，在画圆操作中，在端面的中心画中心大圆、围绕中心大圆画一圈的小圆，中心大圆的直径小于成品靶材用锗圆管(F)的内径但中心大圆的直径大于小圆的直径，一圈的小圆直径相同、周向彼此相切、圆心处于以端面的中心为圆心的同一圆环，各小圆与中心大圆在径向上间隔开且间隔开的尺度大于将要采用的与小圆对应的套筒的壁厚和中心大圆对应的套筒的壁厚之和，各小圆与锗晶滚磨段(M4)的外周间隔开，各小圆与锗晶滚磨段(M4)的外周间隔开的最短距离大于成品靶材用锗圆管(F)的壁厚；

S6，将处于立着的状态下的粘接固定的画圆后的锗晶滚磨段(M4)沿轴向从上往下进行套料加工操作，在套料加工操作中，先对着中心大圆进行套料加工，之后对着各小圆逐次进行套料加工，以形成套料加工段(M5)，套料加工段(M5)加工出的分别与中心大圆和一圈的小圆对应的芯料(M6)依然保持在套料加工段(M5)内；

S7，在套料加工操作完成之后，加热粘接料，以解除对套料加工段(M5)的端面粘接固定并取出全部的芯料(M6)；

S8，在取出全部的芯料(M6)之后，对套料加工段(M5)依次进行铣面、内径加工和外径加工的精雕加工，以分别达到成品靶材用锗圆管(F)的长度、内径和厚度。

2.根据权利要求1所述的靶材用锗圆管的加工方法，其特征在于，

在步骤S2中，将锗晶棒(M1)切割成锗晶切段(M2)采用线切割；

锗晶棒(M1)以保持固定立着的姿态被切割线(C)沿与锗晶棒(M1)的轴线垂直的方向切割。

3.根据权利要求1所述的靶材用锗圆管的加工方法，其特征在于，

在步骤S3中，锗晶切段(M2)在立式加工中心上保持固定立着的姿态被立式加工中心将锗晶切段(M2)的轴向的两端面进行铣面，铣面相对彼此的平行度小于0.05mm。

4.根据权利要求1所述的靶材用锗圆管的加工方法，其特征在于，

在步骤S4，采用外圆滚床将处于水平姿态的锗晶铣段(M3)的外周面进行滚磨加工。

5.根据权利要求4所述的靶材用锗圆管的加工方法，其特征在于，

在步骤S4中，还对外周面与端面之间的周缘进行倒角。

6.根据权利要求1所述的靶材用锗圆管的加工方法，其特征在于，

在步骤S5中，采用石蜡将画圆后的锗晶滚磨段(M4)的轴向的所述一端面固定在套料加工的工作台上。

7.根据权利要求1所述的靶材用锗圆管的加工方法，其特征在于，

在步骤S6中，

套料加工操作采用的各套筒的外径与对应的中心大圆或小圆的直径相同、各套筒的长度大于画圆后的锗晶滚磨段(M4)的长度，或者，

套料加工操作采用的各套筒的内径与对应的中心大圆或小圆的直径相同、各套筒的长度大于画圆后的锗晶滚磨段(M4)的长度。

8.根据权利要求7所述的靶材用锗圆管的加工方法，其特征在于，

在步骤S6中，画圆后的锗晶滚磨段(M4)的轴向的所述一端面固定在石墨板(P)上。