[发明专利]一种基于自旋涡度耦合的自旋电子学器件在审
| 申请号： | 202211477246.9 | 申请日： | 2022-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN115884662A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 崔彬;胡季帆;安泰宇 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10 |
| 代理公司： | 北京创智合源知识产权代理事务所(普通合伙) 16092 | 代理人： | 马金华 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 旋涡 耦合 自旋 电子学 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于自旋涡度耦合的高效的Si/SiO2/Ni81Fe19/Cu-CuOx/TaN自旋电子学器件，其结构依次包括：基片、铁磁层、非磁性层、保护层，所述磁性层为Ni81Fe19层；其特征在于：所述非磁性层为轻金属氧化物层。
2.根据权利要求1所述的Si/SiO2/Ni81Fe19/Cu-CuOx/TaN自旋电子学器件，其特征在于：所述自旋电子学器件的结构依次包括：Si/SiO2基片、Ni81Fe19层、Cu-CuOx层、TaN层。
3.根据权利要求1或2所述的Si/SiO2/Ni81Fe19/Cu-CuOx/TaN自旋电子学器件，其特征在于：Cu-CuOx层的厚度为1-20nm。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的Si/SiO2/Ni81Fe19/Cu-CuOx/TaN自旋电子学器件，其特征在于：所述Ni81Fe19层厚度为10nm。
5.根据权利要求2-4中任一项所述的Si/SiO2/Ni81Fe19/Cu-CuOx/TaN自旋电子学器件，其特征在于：所述TaN层的厚度为1nm。
6.根据权利要求2-5中任一项所述的Si/SiO2/Ni81Fe19/Cu-CuOx/TaN自旋电子学器件，其特征在于：所述的Cu-CuOx层为具有顶部和侧边氧化的氧化层；所述TaN为非晶TaN。
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