[发明专利]光电流镜像监控电路在审

专利信息
申请号: 202211478844.8 申请日: 2022-11-24
公开(公告)号: CN115580348A 公开(公告)日: 2023-01-06
发明(设计)人: 林少衡;林淑寒 申请(专利权)人: 厦门优迅高速芯片有限公司
主分类号: H04B10/079 分类号: H04B10/079;G01R19/00;G01R1/30
代理公司: 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 代理人: 黄兴
地址: 361012 福建省厦门*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 电流 监控 电路
【权利要求书】:

1.一种光电流镜像监控电路,其特征在于:包括镜像管P1、镜像管P2、调整管P3以及电流型反馈运放U1;

镜像管P1的源极和镜像管P2的源极接入电源VDD,

镜像管P1的栅极和漏极、镜像管P2的栅极以及电流型反馈运放U1的同相输入端连接所述的光电流镜像监控电路的输入端;

镜像管P2的漏极和调整管P3的源极连接电流型反馈运放U1的反相输入端,调整管P3的栅极连接电流型反馈运放U1的输出端,调整管P3的漏极连接所述的光电流镜像监控电路的输出端;

所述电流型反馈运放U1包括MOS管M1、MOS管M2、恒流源I1和恒流源I2,MOS管M1和MOS管M2的尺寸相同,恒流源I1和恒流源I2的尾电流相同;MOS管M1的源极连接该电流型反馈运放U1的同相输入端,MOS管M2的源极连接该电流型反馈运放U1的反相输入端,MOS管M1的漏极连接该电流型反馈运放U1的输出端,MOS管M1的漏极还通过恒流源I1接地,MOS管M1的栅极以及MOS管M2的栅极和漏极共同通过恒流源I2接地。

2.如权利要求1所述的光电流镜像监控电路,其特征在于:所述MOS管M1和MOS管M2均为PMOS管。

3.如权利要求1所述的光电流镜像监控电路,其特征在于:还包括阻容单元,所述电流型反馈运放U1的输出端通过阻容单元接地。

4.如权利要求3所述的光电流镜像监控电路,其特征在于:所述阻容单元包括串联的电阻R3和电容C1。

5.如权利要求1所述的光电流镜像监控电路,其特征在于:所述镜像管P1、镜像管P2和调整管P3均为PMOS管。

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