[发明专利]一种电感电容型VCO电路

权利要求书

1.一种电感电容型VCO电路，其特征在于，包括：主电容电感谐振腔、变容管对、第一交叉耦合MOS管对和第一降噪电容电感谐振腔；

所述主电容电感谐振腔、所述变容管对和所述第一交叉耦合MOS管对并联连接；所述第一降噪电容电感谐振腔与所述主电容电感谐振腔、所述变容管对、所述第一交叉耦合MOS管对组成的电路相串联；

所述主电容电感谐振腔用于确定所述VCO电路的基波振荡频率；

所述变容管对两端的电压为调谐电压，用于微调所述VCO电路的振荡频率；

所述第一交叉耦合MOS管对用于提供所述VCO电路振荡所需的负阻条件；

所述第一降噪电容电感谐振腔的电容大小可变，使得所述第一降噪电容电感谐振器的振荡频率为所述VCO电路的振荡频率的两倍，以抑制所述VCO电路的相位噪声。

2.根据权利要求1所述的电感电容型VCO电路，其特征在于，所述主电容电感谐振腔包括：

电感L₁和电容阵列C₁，所述电感L₁和所述电容阵列C₁并联连接；

所述第一降噪电容电感谐振腔包括：

电感L₂和电容阵列C₂，所述电感L₂和所述电容阵列C₂并联连接。

3.根据权利要求2所述的电感电容型VCO电路，其特征在于，所述电容阵列C₁包括N个并联连接的电容子单元，所述电容阵列C₂包括M个并联连接的电容子单元；其中，N＞M；

所述电容阵列C₂的控制码字复用所述电容阵列C₁的控制码字的高M位。

4.根据权利要求3所述的电感电容型VCO电路，其特征在于，所述电容阵列C₁的控制码字是根据所述VCO电路的振荡频率自动校准获得的。

5.根据权利要求3所述的电感电容型VCO电路，其特征在于，所述电容阵列C₁的电容子单元由第一线性电容、NMOS管构成的开关和第二线性电容串联组成。

6.根据权利要求1所述的电感电容型VCO电路，其特征在于，所述变容管对包括变容管V1和变容管V2，所述变容管V1和所述变容管V2串联连接。

7.根据权利要求1所述的电感电容型VCO电路，其特征在于，所述第一交叉耦合MOS管对包括：

NMOS管N₁和NMOS管N₂；

所述NMOS管N₁的漏极与所述NMOS管N₂的栅极相连，所述NMOS管N₂的漏极与所述NMOS管N₁的栅极相连；

所述主电容电感谐振腔的第一端连接所述NMOS管N₁的漏极，所述主电容电感谐振腔的第二端连接所述NMOS管N₂的漏极。

8.根据权利要求1所述的电感电容型VCO电路，其特征在于，所述第一交叉耦合MOS管对包括：

PMOS管P₁和PMOS管P₂；

所述PMOS管P₁的漏极与所述PMOS管P₂的栅极相连，所述PMOS管P₂的漏极与所述PMOS管P₁的栅极相连；

所述主电容电感谐振腔的第一端连接所述PMOS管P₁的漏极，所述主电容电感谐振腔的第二端连接所述PMOS管P₂的漏极。

9.根据权利要求1所述的电感电容型VCO电路，其特征在于，还包括：第二交叉耦合MOS管对和第二降噪电容电感谐振腔。